Follow
Сергій Луньов, Luniov Sergiy
Сергій Луньов, Luniov Sergiy
Lutsk National Technical University Department of Physics and Higher Mathematics
Verified email at lutsk-ntu.com.ua
Title
Cited by
Cited by
Year
The impact of radiation defects on the mechanisms of electron scattering in single crystals n-Ge
SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela
Journal of physical studies 19 (4), 4704-4704, 2015
172015
PARAMETERS OF THE HIGH-ENERGY Δ1-MINIMUM OF THE CONDUCTION BAND IN n-Ge.
SV Luniov, PF Nazarchuk, OV Burban
Journal of Physical Studies 17 (3), 2013
142013
Deformation potentials for Δ1 minimum of conduction band of single crystals n-Ge
S Luniov, O Burban, P Nazarchuk
Journal of Advances in Physics 5 (1), 705-711, 2014
122014
Influence of uniaxial deformation on the filling of the level associated with A-center in n-Si crystals
AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov
Ukr J Phys 56 (1), 69-73, 2011
112011
Specific features of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge single crystals in the presence of radiation defects
SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela
Radiation Effects and Defects in Solids 171 (11-12), 855-868, 2016
102016
Calculation of band structure of the strained germanium nanofilm, doped with a donor impurity
SV Luniov
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 118, 113954, 2020
92020
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela
Ядерна фізика та енергетика 17 (1), 47-52, 2016
92016
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
SV Luniov, LI Panasiuk, SA Fedosov
Ukrainian journal of physics, 636-641, 2012
92012
Specific features of intervalley scattering of charge carriers in n-Si at high temperatures
AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov
Semiconductors 44, 1263-1265, 2010
92010
Наук. вісн
СА Федосов, СВ Луньов, ДА Захарчук, ЛІ Панасюк, ЮВ Коваль
Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки (16) 39, 2011
82011
Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов
Відділення фізики і астрономії НАН України, 2010
72010
AI Zimych Influence of electron-phonon interaction on piezoresistance of single crystals n-Ge
SV Luniov, OV Burban, PF Nazarchuk
Journal of Advances in Physics 7 (3), 1931-1938, 2015
62015
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А–центром, у кристалах n-Si
АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов
Український фізичний журнал 56 (1), 70-74, 2011
62011
Peculiarities of piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals in the case of symmetric position of the deformation axis relative to all isoenergetic ellipsoids
AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov
Ukrayins' kij Fyizichnij Zhurnal (Kyiv) 55 (3), 323-326, 2010
62010
ВПЛИВ ОДНОВІСНОЇ ПРУЖНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА РУХЛИВІСТЬ НОСІЇВ СТРУМУ В КРИСТАЛАХ n Si ТА n Ge ПРИ НАЯВНОСТІ ГЛИБОКИХ ЕНЕРГЕТИЧНИХ РІВНІВ
SV Luniov
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології 7 (1), 11-14, 2010
62010
Specific features of defect formation in the n-Si< Ρ> single crystals at electron irradiation
S Luniov, A Zimych, M Khvyshchun, M Yevsiuk, V Maslyuk
Восточно-Европейский журнал передовых технологий, 35-42, 2018
52018
Electron scattering in the Δ1 model of the conduction band of germanium single crystals
SV Luniov, OV Burban, PF Nazarchuk
Semiconductors 49, 574-578, 2015
52015
Constants of Electron-Phonon Interaction for Optical and Intervalley Phonons in n-Ge
SV Luniov, OV Burban
Журнал нано-и электронной физики 6 (1), 01020-01020, 2014
52014
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту
СВ Луньов, ЛІ Панасюк, СА Федосов
Український фізичний журнал, 637-642, 2012
52012
Determination of the velocity of shift of deep energy levels in silicon single crystals under the uniaxial deformation
AV Fedosov, SV Luniov, DA Zaharchuk, SA Fedosov, V Timoschuk
Sci. Bull. Lesya Ukr. Volyn Natl. Univ. Phys. Sci., 54-58, 2008
52008
The system can't perform the operation now. Try again later.
Articles 1–20