The impact of radiation defects on the mechanisms of electron scattering in single crystals n-Ge SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela Journal of physical studies 19 (4), 4704-4704, 2015 | 17 | 2015 |
PARAMETERS OF THE HIGH-ENERGY Δ1-MINIMUM OF THE CONDUCTION BAND IN n-Ge. SV Luniov, PF Nazarchuk, OV Burban Journal of Physical Studies 17 (3), 2013 | 14 | 2013 |
Deformation potentials for Δ1 minimum of conduction band of single crystals n-Ge S Luniov, O Burban, P Nazarchuk Journal of Advances in Physics 5 (1), 705-711, 2014 | 12 | 2014 |
Influence of uniaxial deformation on the filling of the level associated with A-center in n-Si crystals AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Ukr J Phys 56 (1), 69-73, 2011 | 11 | 2011 |
Specific features of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge single crystals in the presence of radiation defects SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela Radiation Effects and Defects in Solids 171 (11-12), 855-868, 2016 | 10 | 2016 |
Calculation of band structure of the strained germanium nanofilm, doped with a donor impurity SV Luniov Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 118, 113954, 2020 | 9 | 2020 |
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela Ядерна фізика та енергетика 17 (1), 47-52, 2016 | 9 | 2016 |
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect SV Luniov, LI Panasiuk, SA Fedosov Ukrainian journal of physics, 636-641, 2012 | 9 | 2012 |
Specific features of intervalley scattering of charge carriers in n-Si at high temperatures AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Semiconductors 44, 1263-1265, 2010 | 9 | 2010 |
Наук. вісн СА Федосов, СВ Луньов, ДА Захарчук, ЛІ Панасюк, ЮВ Коваль Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки (16) 39, 2011 | 8 | 2011 |
Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов Відділення фізики і астрономії НАН України, 2010 | 7 | 2010 |
AI Zimych Influence of electron-phonon interaction on piezoresistance of single crystals n-Ge SV Luniov, OV Burban, PF Nazarchuk Journal of Advances in Physics 7 (3), 1931-1938, 2015 | 6 | 2015 |
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А–центром, у кристалах n-Si АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов Український фізичний журнал 56 (1), 70-74, 2011 | 6 | 2011 |
Peculiarities of piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals in the case of symmetric position of the deformation axis relative to all isoenergetic ellipsoids AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Ukrayins' kij Fyizichnij Zhurnal (Kyiv) 55 (3), 323-326, 2010 | 6 | 2010 |
ВПЛИВ ОДНОВІСНОЇ ПРУЖНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА РУХЛИВІСТЬ НОСІЇВ СТРУМУ В КРИСТАЛАХ n Si ТА n Ge ПРИ НАЯВНОСТІ ГЛИБОКИХ ЕНЕРГЕТИЧНИХ РІВНІВ SV Luniov Сенсорна електроніка і мікросистемні технології 7 (1), 11-14, 2010 | 6 | 2010 |
Specific features of defect formation in the n-Si< Ρ> single crystals at electron irradiation S Luniov, A Zimych, M Khvyshchun, M Yevsiuk, V Maslyuk Восточно-Европейский журнал передовых технологий, 35-42, 2018 | 5 | 2018 |
Electron scattering in the Δ1 model of the conduction band of germanium single crystals SV Luniov, OV Burban, PF Nazarchuk Semiconductors 49, 574-578, 2015 | 5 | 2015 |
Constants of Electron-Phonon Interaction for Optical and Intervalley Phonons in n-Ge SV Luniov, OV Burban Журнал нано-и электронной физики 6 (1), 01020-01020, 2014 | 5 | 2014 |
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту СВ Луньов, ЛІ Панасюк, СА Федосов Український фізичний журнал, 637-642, 2012 | 5 | 2012 |
Determination of the velocity of shift of deep energy levels in silicon single crystals under the uniaxial deformation AV Fedosov, SV Luniov, DA Zaharchuk, SA Fedosov, V Timoschuk Sci. Bull. Lesya Ukr. Volyn Natl. Univ. Phys. Sci., 54-58, 2008 | 5 | 2008 |