| Сумма технологии С Лем Litres, 2009 | 1192 | 2009 |
| Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах АИ Казаков Физика и техника тонких пленок сложных полупроводников., 214−215, 1981 | 25* | 1981 |
| Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники АО Матковский, ДЮ Сугак, СБ Убизский, ОИ Шпотюк, ЕА Черный, ... Львов: Свiт 212, 1994 | 21 | 1994 |
| Полупроводниковые детекторы нового поколения для радиационного контроля и дозиметрии ионизирующих излучений ОВ Банзак, ОВ Маслов, ВА Мокрицкий Одесса: Изд-во «ВМВ, 2013 | 18 | 2013 |
| Computer simulation for stability of quartenary solid solutions AI Kazakov, IN Kishmar Journal of crystal growth 110 (4), 803-814, 1991 | 17 | 1991 |
| Stability analysis of quaternary alloys including the lattice mismatch strain energy AI Kazakov, IN Kishmar Journal of crystal growth 125 (3-4), 509-518, 1992 | 13 | 1992 |
| Радиационное управление свойствами материалов и изделий опто-и микроэлектроники СВ Ленков, ВА Мокрицкий, АС Гаркавенко, ВВ Зубарев, ВА Завадский Одесса: Друк, 2003 | 10 | 2003 |
| Физико-технические основы радиационной технологии полупроводников СВ Ленков, ВА Мокрицкий, ДО Перегудов, ГТ Тариелашвили Монография.–Одесса: Астропринт, 2002 | 10 | 2002 |
| Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля ВА Мокрицкий, ОВ Маслов, ЮЕ Николаенко, МВ Максимов Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005 | 8 | 2005 |
| Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры ВА Мокрицкий, ВА Завадский Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001 | 7 | 2001 |
| Обработка монокристаллов CdZnTe для применения в датчиках γ-излучения ВА Мокрицкий, СВ Ленков, ОВ Маслов, СА Савельев Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 9-10, 2001 | 7 | 2001 |
| Stability analysis of quaternary InxGa1− xSbyAs1− y alloys AI Kazakov, IN Kishmar, AE Bochkarev, LM Dolginov Journal of crystal growth 116 (1-2), 204-212, 1992 | 6 | 1992 |
| Технико-экономические задачи эффективного контроля безопасности АЭС ВА Мокрицкий Экономист, 70-74, 2011 | 5 | 2011 |
| Лазеры в метрологии полупроводников ВВ Видолоб, АС Гаркавенко, СВ Ленков, ВА Мокрицкий Одесса: Атлант, 2006 | 5 | 2006 |
| Метод структурно-логічного кодування інфімумних диз, юнктивних нормальних форм булевих функцій в базисі кубу En ЮД Іванов, ІВ Пампуха, ОС Захарова, ГБ Жиров Зб. наук. праць Військового інституту Ки¿ вського національн. унту, 46-49, 2006 | 5 | 2006 |
| Liquid phase epitaxy of GaAs on Si substrates VN Brovkin, AI Kazakov, VA Presnov Crystal Research and Technology 23 (10-11), 1331-1336, 1988 | 5 | 1988 |
| Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия ВА Мокрицкий, АС Гаркавенко, ВВ Зубарев, СВ Ленков Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003 | 4 | 2003 |
| Фізико–технічні основи мікроелектроніки ВА Мокрицький, СМ Дранчук, ОВ Андріянов, СВ Лєнков, ВВ Зубарєв Одеса: ТЕС, 2002 | 4 | 2002 |
| Detection of digital image blurring traces V Mokritskiy, V Zorilo Інформатика та математичні методи в моделюванні, 220-227, 2011 | 3 | 2011 |
| Physicochemical analysis of InAs gas phase epitaxy in the InAs-AsCl3-H2 system I: Thermodynamic considerations L Hitova, EP Trifonova, IN Kishmar, M Apostolova Thin solid films 147 (1), 33-40, 1987 | 3 | 1987 |
Андриянов А.В., Андріянов О.В., Анд...Национальный университет "Одесская политехника"Підтверджена електронна адреса в op.edu.ua
