Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2 AK Fedotov, MI Tarasik, IA Svito, P Zhukowski, TN Koltunowicz, ...
Electrical Review, R. 88, N. 7a (2012) 301–304, 2012
15 2012 Effects of Fluences of Irradiation with 107 MeV Krypton Ions on the Recovery Charge of Silicon -Diodes N Poklonski, N Gorbachuk, M Tarasik, S Shpakovski, V Filipenia, ...
Acta Physica Polonica A 120 (1), 111-114, 2011
12 2011 Modification of electrical properties of CdSxSe1− x films by hard irradiation and nanostructuring AM Saad, AK Fedotov, AV Mazanik, MI Tarasik, AM Yanchenko, ...
Thin Solid Films 487 (1-2), 202-204, 2005
12 2005 Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы ПК Садовский, АР Челядинский, ВБ Оджаев, МИ Тарасик, ...
Физика твердого тела–том, 2013
7 2013 Радиальное распределение времени жизни носителей заряда в кремнии МИ Тарасик, СН Якубеня, АМ Янченко
Электронная техника. Серия 14: Материалы, 48, 1985
7 1985 Getter formation in silicon by implantation of antimony ions PK Sadovskii, AR Chelyadinskii, VB Odzhaev, MI Tarasik, AS Turtsevich, ...
Physics of the Solid State 55, 1156-1158, 2013
3 2013 Optical-absorption spectrum of silicon containing internal elastic stresses AA Patrin, MI Tarasik
Journal of applied spectroscopy 65, 598-603, 1998
3 1998 Impedance of reverse biased diodes irradiated with krypton ions with energy of 250 MeV NA Poklonsky, NI Gorbachuk, AV Ermakova, MI Tarasik, SV Shpakovski, ...
7th International Conference New Electrical and Electronic Technologies and …, 2011
2 2011 Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта МИ Тарасик, ДС Шварков, АМ Янченко
Физика и техника полупроводников 22 (1), 97-100, 1988
2 1988 Capture mechanism of holes by radiation defects with Esub (c)-0. 20 eV level in Sb-doped Ge MI Tarasik, VD Tkachev, VU Yavid, AM Yanchenko
Phys. Status Solidi B;(German Democratic Republic) 104 (2), 1981
2 1981 О влиянии упругих напряжений на диффузию бора в кремнии ВБ Оджаев, ВИ Плебанович, МИ Тарасик, АР Челядинский
Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 88-94, 2017
1 2017 Formation of nanotubes in Cz Si wafers using He+ implantation and subsequent O+-or N+-plasma treatment AV Frantskevich, AM Saad, NV Frantskevich, AK Fedotov, AV Mazanik, ...
Vacuum 83, S103-S106, 2009
1 2009 Electric properties of hydrogenated polycrystalline CdS-CdSe solid solution films AK Fedotov, S Manego, AV Mazanik, M Tarasik, Y Trofimov, AG Ulyashin, ...
Solid State Phenomena 69, 589-594, 1999
1 1999 Influence of hydrogen plasma treatment on electric properties of polycrystalline CdSxSe1-x films S Manego, A Mazanik, M Tarasik, Y Trofimov, A Fedotov, A Ulyashin, ...
Diffusion and Defect Data Pt. B: Solid State Phenomena, 509-514, 1999
1 1999 Улучшение термостабильности пленок алюминия и его сплавов на кремнии с использованием быстрой термообработки ВА Пилипенко, ВН Пономарь, ВА Горушко, МИ Тарасик, АМ Янченко
Минск: Універсітэцкае, 1998
1 1998 Carrier transport in heavily doped polycrystalline silicon layers after annealing by a scanning laser beam AK Fedotov, MI Tarasik, AM Yanchenko
Applied surface science 84 (4), 379-382, 1995
1 1995 Photoluminescence of undoped semi-insulating gallium arsenide heat treated at an excess arsenic vapor pressure C Chao, VA Bykovskii, MI Tarasik
Semiconductors 28 (1), 19-22, 1994
1 1994 Investigation of the Recombination Properties of Oxygen Complexes in Silicon MI Tarasik, VD Tkachev, AM Yanchenko
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 14 (5), 986-988, 1980
1 1980 О механизме захвата электронов на радиационные дефекты с уровнем Ev+ 0.37 эВ в Ge (Sb), облученном γ-квантами МИ Тарасик, ВЮ Явид, АМ Янченко
Физика и техника полупроводников 11 (7), 1435-1436, 1977
1 1977 Capture of Electrons by Repulsive Nickel Centres in Si Under Conditions of Uniaxial Compression MI Tarasik, AM Yanchenko
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 10 (3), 604-606, 1976
1 1976