| Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb) ЛЕ Шелимова, ВМ Томашик, ВІ Гриців Наука, 1991 | 100 | 1991 |
| Quaternary alloys based on II-VI semiconductors V Tomashyk CRC Press, 2014 | 89 | 2014 |
| Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AIIBVI ВМ Томашик, ВІ Гриців Наукова думка, 1982 | 64 | 1982 |
| Полирующее травление полупроводниковых соединений типа AIIBVI ВН Томашик, ЗФ Томашик Неорган. материалы 33 (12), 1451-1455, 1997 | 27 | 1997 |
| Hrytsyv VI Phase diagrams of the semiconductor material science: systems based on Si, Ge, Sn, Pb chalcogenide compounds LY Shelimova, VN Tomashyk Nauka, Moscow, 1991 | 25 | 1991 |
| Химическое травление InAs, InSb и GaAs в растворах системы H2O2–HBr ВМ Томашик, НВ Кусяк, ЗФ Томашик Неорганические материалы 38 (5), 535-538, 2002 | 18 | 2002 |
| Взаимодействие теллура и теллурсодержащих полупроводниковых соединений с азотнокислыми растворами бромистоводородной кислоты ВН Томашик, АА Сава, ЗФ Томашик, ИБ Мизецкая Неорган. материалы 28 (2), 324-328, 1992 | 16 | 1992 |
| Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors V Tomashyk CRC Press, 2018 | 14 | 2018 |
| Ternary Alloys Based on III-V Semiconductors V Tomashyk CRC Press, 2017 | 14 | 2017 |
| Химическое травление теллурида кадмия и твердых растворов на его основе в йодметанольных травильных композициях ЗФ Томашик, ОР Гуменюк, ВН Томашик Конденсир. среды и межфаз. границы 4 (2), 159-161, 2002 | 14 | 2002 |
| Polishing of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals with H2O2–HBr–ethylene glycol bromine-releasing etchants ZF Tomashyk, GP Malanych, VN Tomashyk, IB Stratiychuk, ... Vopr. Khim. Khim. Tekhnol, 120-125, 2012 | 13 | 2012 |
| Chemical–mechanical polishing of single crystals of PbTe and Pb1–xSnxTe solid solutions in H2O2–HBr–ethylene glycol etchants GP Malanych, ZF Tomashyk, VM Tomashyk, IB Stratiychuk, NV Safryuk, ... Nauk. Visn. Chernivtsi Nats. Univ. Khim, 72-78, 2013 | 12 | 2013 |
| Formation of the InAs-, InSb-, GaAs-, and GaSb-polished surface I Levchenko, V Tomashyk, I Stratiychuk, G Malanych, A Korchovyi, ... Applied Nanoscience 8, 949-953, 2018 | 10 | 2018 |
| Формирование полированных поверхностей монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe бромвыделяющими травителями H2O–HBr-этиленгликоль ЗФ Томашик, ГП Маланич, ВН Томашик, ИБ Стратийчук, ГА Пащенко, ... Вопросы химии и химической технологии, 120-125, 2012 | 10 | 2012 |
| Химическое травление CdTe и твердых растворов на его основе в растворах системы H2O2–HI ОР Гуменюк, ВН Томашик, ЗФ Томашик Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 147-149, 2002 | 10 | 2002 |
| Жидкофазное травление полупроводниковых соединений типа АIIВVI и физико-химические процессы на границе раздела (обзор) ВН Томашик, ЗФ Томашик, АВ Любченко, АВ Фомин Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 28, 3-15, 1994 | 10 | 1994 |
| Химическое травление полупроводниковых соединений типа АIIВVI ВН Томашик, ЗФ Томашик Неорган. материалы 29 (5), 717-718, 1993 | 10 | 1993 |
| Chemical–Mechanical Polishing of CdTe and Zn x Cd1−x Te Single Crystals by H2O2(HNO3)–HBr–Organic Solvent Etchant … ZF Tomashik, VM Tomashik, IB Stratiychuk, GM Okrepka, II Hnativ, ... Journal of electronic materials 38, 1637-1644, 2009 | 9 | 2009 |
| Компенсационный эффект в кинетике химического взаимодействия CdTe с растворами системы H2O2–HI–молочная кислота ОР Гуменюк, ЗФ Томашик, ВН Томашик, ПИ Фейчук Конденсир. среды и межфаз. границы 4 (3), 242-246, 2002 | 9 | 2002 |
| Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching VM Tomashyk, AS Kravtsova, ZF Tomashyk, IB Stratiychuk, SM Galkin Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013 | 8 | 2013 |
