Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку ІВС В.М. Кичак Матеріали Одинадцятої міжнародної науково-технічної конференції …, 2012 | 5 | 2012 |
Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку ІВС В.М. КИЧАК Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах, 67 - 70, 2012 | 5 | 2012 |
Оцінювання впливу температури на порогову напругу комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників ВМ Кичак, НГ Курилова, ІВ Слободян Матеріали V міжнародної науково-технічної конференції" Сучасні проблеми …, 2011 | 2 | 2011 |
Компонентна база телекомунікаційних і радіотехнічних систем ВМ Кичак, ІВ Слободян, ВВ Кичак ВНТУ, 2022 | 1 | 2022 |
Підвищення радіаційної стійкості енергонезалежних запам’ятовувальних пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників ВМ Кичак, ІВ Слободян, ВЛ Вовк Вісник вінницького політехнічного інституту, 116-123, 2019 | 1 | 2019 |
Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн ІВ Слободян Наукові праці Вінницького національного технічного університету, 2014 | 1 | 2014 |
Конструктивно-технологічні методи підвищення радіаційної стійкості запамятовуючого пристрою на базі МОН-ХСН ВМ Кичак, ІВ Слободян, ВЛ Вовк Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції" Сучасні проблеми …, 2021 | | 2021 |
Радіаційностійкий запам’ятовуючий пристрій на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника VM Kychak, IV Slobodyan, VL Vovk Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia, 79-84, 2020 | | 2020 |
Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника ВМ Кичак, ВЛ Вовк Вісник Національного технічного університету України Київський політехнічний …, 2020 | | 2020 |
Аналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази R ІВ Слободян, СЮ Боржемський Матеріали XLVIII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 13 …, 2019 | | 2019 |
Застосування халькогенідних сплавів системи Ge2 Sb2 Te5 для побудови елементів цифрової пам’яті на основі фазових переходів ІВ Слободян, СЮ Боржемський Матеріали XLVII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 14 …, 2018 | | 2018 |
Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН ІВ Слободян Матеріали XLVI науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 22 …, 2017 | | 2017 |
Пристрій для читання/запису інформації енергонезалежної комірки пам'яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника ІВ Слободян Державне підприємство" Український інститут промислової власності"(УКРПАТЕНТ), 2016 | | 2016 |
Пристрій для програмування елемента пам ‘яті на базі ХСН ІВ Слободян ВНТУ, 2016 | | 2016 |
Пристрій для запису/читання інформації халькогенідного елемента цифрової пам’яті СІ В. Проблеми інформатики та моделювання «ПІМ-2015», 14, 2015 | | 2015 |
Пристрій для читання –запису інформації енергонезалежної комірки пам’яті СІ В. Вісник Хмельницького національного університету, 153-157, 2015 | | 2015 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЧТЕНИЯ-ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНОЙ АМБАРЧИКА ПАМЯТИ НА БАЗЕ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛОВИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА ІВ СЛОБОДЯН Вiсник Хмельницького нацiонального унiверситету. Технiчнi науки, 153-156, 2015 | | 2015 |
Пристрій для запису/читання інформації халькогенідного елемента цифрової пам’яті ІВ Слободян Матеріали п’ятнадцятої міжнародної конференції «Проблеми інформатики та …, 2015 | | 2015 |
Оцінювання параметрів перемикання комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників ВМ Кичак, ІВ Слободян ВНТУ, 2014 | | 2014 |
СКОРОСТЬ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА БАЗЕ ХСП ИВ Слободян Научные труды Винницкого национального технического университета, 2014 | | 2014 |