| The impact of radiation defects on the mechanisms of electron scattering in single crystals n-Ge SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela Journal of physical studies 19 (4), 4704-4704, 2015 | 20 | 2015 |
| PARAMETERS OF THE HIGH-ENERGY Δ1-MINIMUM OF THE CONDUCTION BAND IN n-Ge. SV Luniov, PF Nazarchuk, OV Burban Journal of Physical Studies 17 (3), 2013 | 16 | 2013 |
| Influence of uniaxial deformation on the filling of the level associated with A-center in n-Si crystals AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Ukr J Phys 56 (1), 69-73, 2011 | 14 | 2011 |
| Specific features of intervalley scattering of charge carriers in n-Si at high temperatures AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Semiconductors 44, 1263-1265, 2010 | 13 | 2010 |
| Calculation of band structure of the strained germanium nanofilm, doped with a donor impurity SV Luniov Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 118, 113954, 2020 | 12 | 2020 |
| Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela Ядерна фізика та енергетика 17 (1), 47-52, 2016 | 12 | 2016 |
| Deformation potentials for Δ1 minimum of conduction band of single crystals n-Ge S Luniov, O Burban, P Nazarchuk Journal of Advances in Physics 5 (1), 705-711, 2014 | 12 | 2014 |
| Specific features of defect formation in the n-Si< Ρ> single crystals at electron irradiation S Luniov, A Zimych, M Khvyshchun, M Yevsiuk, V Maslyuk Восточно-Европейский журнал передовых технологий, 35-42, 2018 | 11 | 2018 |
| Specific features of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge single crystals in the presence of radiation defects SV Luniov, AI Zimych, PF Nazarchuk, VT Maslyuk, IG Megela Radiation Effects and Defects in Solids 171 (11-12), 855-868, 2016 | 11 | 2016 |
| Calculation of the electron mobility for the Δ1 model of the conduction band of germanium single crystals SV Luniov, PF Nazarchuk, OV Burban Semiconductors 48, 438-441, 2014 | 10 | 2014 |
| Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed silicon single crystals with radiation defects SV Luniov, VV Lyshuk, VT Maslyuk, OV Burban Latvian Journal of Physics and Technical Sciences 56 (5), 45-57, 2019 | 9 | 2019 |
| Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect SV Luniov, LI Panasiuk, SA Fedosov Ukrainian journal of physics, 636-641, 2012 | 9 | 2012 |
| Наук. вісн СА Федосов, СВ Луньов, ДА Захарчук, ЛІ Панасюк, ЮВ Коваль Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки (16) 39, 2011 | 9 | 2011 |
| Electron scattering in the Δ1 model of the conduction band of germanium single crystals SV Luniov, OV Burban, PF Nazarchuk Semiconductors 49, 574-578, 2015 | 8 | 2015 |
| Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов Відділення фізики і астрономії НАН України, 2010 | 7 | 2010 |
| Calculation of Electron Mobility for the Strained Germanium Nanofilm SV Luniov Journal of Nano-and Electronic Physics, 02023-1-02023-6, 2019 | 6 | 2019 |
| AI Zimych Influence of electron-phonon interaction on piezoresistance of single crystals n-Ge SV Luniov, OV Burban, PF Nazarchuk Journal of Advances in Physics 7 (3), 1931-1938, 2015 | 6 | 2015 |
| Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту СВ Луньов, ЛІ Панасюк, СА Федосов Український фізичний журнал, 637-642, 2012 | 6 | 2012 |
| Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А–центром, у кристалах n-Si АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов Український фізичний журнал 56 (1), 70-74, 2011 | 6 | 2011 |
| Peculiarities of piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals in the case of symmetric position of the deformation axis relative to all isoenergetic ellipsoids AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Ukrayins' kij Fyizichnij Zhurnal (Kyiv) 55 (3), 323-326, 2010 | 6 | 2010 |
Volodymyr Maslyuk / Володимир Мас...Інститут електронної фізики НАН УкраїниПідтверджена електронна адреса в nas.gov.ua
