| Growth and characterization of high-resistivity CdTe DV Korbutyak, SG Krylyuk, PM Tkachuk, VI Tkachuk, ND Korbutjak, ... Journal of crystal growth 197 (3), 659-662, 1999 | 22 | 1999 |
| Applied possibilities for x-ray diffraction interferometry MD Raransky, JM Struk, IM Fodchuk, VP Shafraniuk, AM Raransky International Conference on Holography and Correlation Optics 2647, 457-467, 1995 | 21 | 1995 |
| Applied possibilities for x-ray diffraction interferometry MD Raransky, JM Struk, IM Fodchuk, VP Shafraniuk, AM Raransky International Conference on Holography and Correlation Optics 2647, 457-467, 1995 | 21 | 1995 |
| Moire images simulation of strains in x-ray interferometry IM Fodchuk, ND Raransky Journal of Physics D: Applied Physics 36 (10A), A55, 2003 | 19 | 2003 |
| Особенности магнитопластического эффекта в бериллиевом конденсате АВ Олейнич-Лысюк, НД Раранский Физика твердого тела 54 (3), 417-421, 2012 | 12 | 2012 |
| X-ray interferometric description of deformation fields around dislocation accumulation N Raransky, V Shafraniuk, I Fodchuk Metallofizika 7 (5), 63-71, 1985 | 10 | 1985 |
| Рентгеноинтерферометрическое изображение полей деформаций вокруг дислокационных скоплений НД Раранский, ВП Шафранюк, ИМ Фодчук Металлофизика.-1985.-7, 63-71, 1985 | 9 | 1985 |
| Пружні властивості та динаміка кристалічної гратки деяких напівпровідникових монокристалів МД Раранський, ВН Балазюк, ЗД Ковалюк Чернівці: Золоті литаври 200, 2012 | 8 | 2012 |
| Дефекты границ сопряжений и релаксации напряжений в эпитаксиальных системах Si - Si, Ge - Si, GaP - Si ШВП Раранский Н.Д. УФЖ 30 (1), 127-132., 1985 | 8 | 1985 |
| Точкові дефекти в алмазоподібних напівпровідниках ВП Махній, МД Раранський Чернівці: Рута, 2002 | 7 | 2002 |
| Влияние степени нестабильности системы на осциллирующий характер временн ых зависимостей внутреннего трения АВ Олейнич-Лысюк Физика твердого тела 44 (6), 1053-1056, 2002 | 7 | 2002 |
| Эффективный модуль сдвига и внутреннее трение в Ве, облученном электронами высоких энергий АВ Олейнич, БГ Стронгин, НД Раранский, ВВ Лисюк, ВТ Маслюк Металлофизика и новейшие технологии 19, 62-66, 1997 | 7 | 1997 |
| Изображение дефектов упаковки в рентгеновском дифракци-онном муаре ШВП Раранский Н.Д. УФЖ 27 (6), 901-904, 1982 | 7 | 1982 |
| Auxeticity properties of hexagonal syngony crystals MD Raransky, VN Balazyuk, MM Gunko Physics and Chemistry of Solid State 16 (1), 34-43, 2015 | 6 | 2015 |
| Инверсия упругих характеристик бериллиевого конденсата под воздействием слабого магнитного поля ЕИ Курек, АВ Олейнич-Лысюк, НД Раранский Письма в ЖТФ 37 (24), 1-8, 2011 | 6 | 2011 |
| Фізико-хімічні основи методів створення та аналізу точкових дефектів у напівпровідниках ВП Махній, МД Раранський Чернівці: Рута, 2003 | 6 | 2003 |
| Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода ВВ Моцкин, АВ Олейнич-Лысюк, НД Раранский, ИМ Фодчук Физика и техника полупроводников 36 (9), 1035-1039, 2002 | 6 | 2002 |
| The features of anomalous multiple x-ray transmission in Ge crystals with distortions IM Fodchuk, MD Raransky, MD Borcha, LL Gultay, OO Tkach Journal of Physics D: Applied Physics 34 (10A), A93, 2001 | 6 | 2001 |
| Исследование аномалий дислокационно-примесного взаимодействия в Ве АВ Олейнич, НД Раранский, БГ Стронгин Металлофизика и новейшие технологии 16, 47-51, 1994 | 6 | 1994 |
| Муаровые изображения полос роста в бездис-локационном монокристалле Si ФИМ Раранский Н.Д., Шафранюк В.П. УФЖ 30 (1), 133-135, 1985 | 6* | 1985 |
