Follow
Марат Тагаев (Tagaev Marat)
Марат Тагаев (Tagaev Marat)
Karakalpak State University
Verified email at karsu.uz
Title
Cited by
Cited by
Year
Ohmic contacts for microwave diodes
RV Konakova, VV Milenin, DI Voitsikhovskiy, EA Soloviev, MB Tagaev, ...
2000 22nd International Conference on Microelectronics. Proceedings (Cat. No …, 2000
192000
Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
NS Boltovets, NM Goncharuk, VA Krivutsa, VE Chaika, RV Konakova, ...
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000
72000
Кремниевые диффузионные диоды с вольт-амперными характеристиками, близкими к идеальным
НС Болтовец, КА Исмайлов, РВ Конакова, МБ Тагаев
Журнал технической физики 68 (10), 131-132, 1998
41998
Modeling microplasmas pn junction
MB Tagaev, AA Abdreymov
EPRA International Journal of Multidisciplinary Research (IJMR) 8 (6), 139-145, 2022
32022
Структурные свойства омических контактов на основе палладия к n+-nn+-n++-InP.
МУ Насыров, МБ Тагаев
ДАН РУз, 30-33, 2016
32016
Effect of ultrasonic treatment of silicon IMPATT diodes, power Schottky diodes and Zener diodes on their electrical characteristics
MB Tagaev
Укр. фіз. журн. 45 (3), 364-367, 2000
32000
Effect of ionizing radiation on the silicon IMPATT diode characteristics
MB Tagaev
Turkish Journal of Physics 23 (6), 985-988, 1999
31999
Атермическая ультразвуковая обработка кремниевых СВЧ диодов
МБ Тагаев
ДАН Республики Узбекистан, 52, 1998
31998
Роль микрорельефа в изменении характеристик оксидсодержащих барьеров Шоттки Сr-GaAs под влиянием внешних воздействий
КА Исмаилов, МБ Тагаев, ВА Статов, СЕ Бекбергенов
Материалы конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках, 35-36, 2004
22004
Влияние лазерной обработки на электрические характеристики барьерных контактов к GaAs. Материалы IX Международной конференции «Физика полупроводников тонких пленок»
КА Исмаилов, МБ Тагаев, АБ Камалов, СЕ Бекбергенов
Ивано-Франковск, Украина, 19-24, 2003
22003
II Узбекский Физ
МБ Тагаев
Журн, 1996
21996
Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
КА Исмайлов, ВА Статов, МБ Тагаев, АБ Камалов
Вопросы атомной науки и техники, 2001
12001
Effect of short-time thermal annealings on characteristics of Ohm contacts on silicon microwaves diodes
DI VOITSEKHOVSKII, RV Konakova, VV Milenin, EV SOLOV, MB Tagaev, ...
Fizika i himiâ obrabotki materialov, 80-84, 1999
11999
РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В КВАНТОВЫХ ЯМ CdZnSe/ZnSe
МБ Шарибаев, МБ Тагаев
Fergana state university conference, 06-06, 2023
2023
DIFFERENTIAL RESISTANCE TO ALTERNATING CURRENT DURING BREAKDOWN OF CURRENT IN DEEP LEVELS IN A SILICON PN JUNCTION
MB Tagaev, AA Abdreymov
EPRA International Journal of Research and Development (IJRD) 8 (6), 170-176, 2023
2023
THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF DIODES WITH AN ARBITRARY BASE DOPING PROFILE
MB Tagaev, AA Abdreymov, SD Saparbaeva, AS Duysenbaeva
EPRA International Journal of Multidisciplinary Research (IJMR) 8 (12), 32-36, 2022
2022
ОСОБЕННОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК С МИКРОРЕЛЬЕФНОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА И ВЛИЯНИЕ НА НИХ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ
М Тагаев, В Статов, С Бекбергенов
ВЕСТНИК КАРАКАЛПАКСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ БЕРДАХА 2 (47 …, 2020
2020
INFLUENCE OF THE GAMMA IRRADIATION ONTO IV CURVE OF THE SURFACE BARRIER METALL-SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH MICRO-TEXTURED INTERFACE
M Tagaev, V Statov, S Bekbergenov
Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 2 (3), 13, 2020
2020
ВЛИЯНИЕ ГАММА РАДИАЦИИ НА ВОЛЬТАМПЕРНУЮ ХАРАКТЕРИСТИКУ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК С МИКРОРЕЛЬЕФНОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА
БА Абдикамалов, МБ Тагаев, ВА Статов, СЕ Бекбергенов
Экономика и социум, 314-317, 2020
2020
STUDY OF THE SCHOTTKY POWER DIODES DEGRADATION UNDER 60Co-IRRADIAION
M Tagaev, B Abdikamalov, V Statov, S Bekbergenov
Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 1 (3), 10, 2019
2019
The system can't perform the operation now. Try again later.
Articles 1–20