Игорь Рогозин
Игорь Рогозин
Бердянский государственный педагогический университет
Подтвержден адрес электронной почты в домене bdpu.org.ua
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Methods of high-energy chemistry in the technology of wide-gap chalcogenide semiconductors
AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky, IV Rogozin
Inorganic materials 40 (1), S1-S18, 2004
242004
Luminescence of native-defect p-type ZnO
AN Georgobiani, MB Kotlyarevskii, VV Kidalov, LS Lepnev, IV Rogozin
Inorganic materials 37 (11), 1095-1098, 2001
222001
Phase content and photoluminescence of ZnO layers obtained on ZnSe substrates by radical-beam gettering epitaxy
AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky, IV Rogozin
Nuclear Physics B-Proceedings Supplements 78 (1-3), 484-487, 1999
191999
ZnO/ZnSe structures prepared by radical-beam getter epitaxy
AN Georgobiani, MB Kotlyarevskii, VV Kidalov, LV Rogozin
Inorganic Materials 33 (2), 185-188, 1997
191997
Nitrogen-doped p-type ZnO thin films and ZnO/ZnSe pn heterojunctions grown on ZnSe substrate by radical beam gettering epitaxy
IV Rogozin
Thin solid films 517 (15), 4318-4321, 2009
172009
Characteristics of nitrogen-doped p-ZnO thin films and ZnO/ZnSe p–n heterojunctions grown on a ZnSe substrate
IV Rogozin, MB Kotlyarevsky
Semiconductor science and technology 23 (8), 085008, 2008
142008
p-Type II–VI compounds doped by rare-earth elements
AN Georgobiani, MB Kotljarevsky, VV Kidalov, IV Rogozin, UA Aminov
Journal of crystal growth 214, 516-519, 2000
142000
VN-Mg defect complexes as compensating centers in GaN: Mg
IV Rogozin, AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky
Inorganic Materials 44 (11), 1208-1213, 2008
82008
Люминесценция ZnO со сверх-стехиометрическим содержанием кислорода
МБ Котляревский, АН Георгобиани, ИВ Рогозин, АВ Мараховский
Журнал прикладной спектроскопии 70 (1), 86-89, 2003
82003
Kinetics of GaN radical-beam gettering epitaxy on GaAs substrates
IV Rogozin, AN Georgobiani
Inorganic materials 42 (12), 1342-1347, 2006
72006
Люминесценция ZnO с собственно-дефектной проводимостью р-типа
АН Георгобиани, МВ Котляревський, ВВ Кидалов, ЛС Лепнев, ...
Неорганические матеріали 37 (11), 1287-1291, 2001
72001
Fabrication of pn junctions in ZnO by arsenic ion implantation followed by annealing in atomic oxygen
IV Rogozin, AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky
Inorganic Materials 43 (7), 714-719, 2007
62007
Inorganic Materials. 40
AN Georgobiani, MB Kotliarevsky, IV Rogozin
Suppl 1, S1, 2004
62004
The influence of the preliminary ion implantation in the ZnSe on the properties of the ZnO ZnSe structures, obtained by the radical beam gettering epitaxy method
AN Georgobiani, MB Kotljarevsky, UA Aminov, VV Kidalov, IV Rogozin
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators …, 1997
61997
Characterization of the surface of ZnO layers and the ZnO/ZnSe interface in heterostructures prepared by radical-beam getter epitaxy
AN Georgobiani, MB Kotlyarevskii, IV Rogozin
Inorganic materials 31 (10), 1995
61995
Механизм компенсации дырочной проводимости пленок ZnO: N
ИВ Рогозин, АН Георгобиани, МБ Котляревский, АВ Мараховский
Неорганические материалы 45 (4), 440-448, 2009
52009
Preparation of ZnO: N filmas by radical-beam gettering epitaxy method
IV Rogozin
Semiconductor Physics and Technology 41, 924-928, 2007
52007
Luminescence of Oxygen-Enriched ZnO, Zh
MB Kotlyarevsky, AN Georgobiani, IV Rogozin, AV Marakhovskii
Prikl. Spektrosk 70 (1), 3, 2003
52003
Structural and electroluminescent properties of n-ZnO/p-GaN: Mg heterojunctions
IV Rogozin, AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky, NP Datskevich
Inorganic Materials 46 (11), 1161-1165, 2010
42010
Приготовление пленок ZnO: N методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии
ИВ Рогозин
Физика и техника полупроводников 41 (8), 924-928, 2007
42007
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20