Підписатись
Игорь Рогозин
Игорь Рогозин
Азовский государственный педагогический университет
Немає підтвердженої електронної адреси
Назва
Посилання
Посилання
Рік
Methods of high-energy chemistry in the technology of wide-gap chalcogenide semiconductors
AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky, IV Rogozin
Inorganic Materials 40, S1-S18, 2004
282004
Nitrogen-doped p-type ZnO thin films and ZnO/ZnSe pn heterojunctions grown on ZnSe substrate by radical beam gettering epitaxy
IV Rogozin
Thin Solid Films 517 (15), 4318-4321, 2009
252009
Luminescence of native-defect p-type ZnO
AN Georgobiani, MB Kotlyarevskii, VV Kidalov, LS Lepnev, IV Rogozin
Inorganic materials 37, 1095-1098, 2001
232001
Phase content and photoluminescence of ZnO layers obtained on ZnSe substrates by radical-beam gettering epitaxy
AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky, IV Rogozin
Nuclear Physics B-Proceedings Supplements 78 (1-3), 484-487, 1999
201999
Characteristics of nitrogen-doped p-ZnO thin films and ZnO/ZnSe p–n heterojunctions grown on a ZnSe substrate
IV Rogozin, MB Kotlyarevsky
Semiconductor science and technology 23 (8), 085008, 2008
162008
p-Type II–VI compounds doped by rare-earth elements
AN Georgobiani, MB Kotljarevsky, VV Kidalov, IV Rogozin, UA Aminov
Journal of crystal growth 214, 516-519, 2000
152000
ZnO/ZnSe structures prepared by radical-beam getter epitaxy
AN Georgobiani, MB Kotlyarevskii, VV Kidalov, LV Rogozin
Inorganic Materials 33 (2), 185-188, 1997
151997
V N-Mg defect complexes as compensating centers in GaN:Mg
IV Rogozin, AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky
Inorganic Materials 44, 1208-1213, 2008
102008
Structural and optical properties of ZnO films obtained on mesoporous Sisubstrates by the method of HF magnetron sputtering
V Kidalov, A DYADENCHUK, Y BACHERIKOV, A ZHUK, T GORBANIUK, ...
Turkish Journal of Physics 44 (1), 57-66, 2020
82020
Люминесценция ZnO со сверхстехиометрическим содержанием кислорода
МБ Котляревский, АН Георгобиани, ИВ Рогозин, АВ Мараховский
Журнал прикладной спектроскопии 70 (1), 86-89, 2003
82003
Люминесценция ZnO с собственно-дефектной проводимостью р-типа
АН Георгобиани, МБ Котляревский, ВВ Кидалов, ЛС Лепнев, ...
Неорган. материалы 37 (11), 1287-1291, 2001
82001
Kinetics of GaN radical-beam gettering epitaxy on GaAs substrates
IV Rogozin, AN Georgobiani
Inorganic materials 42, 1342-1347, 2006
72006
Fabrication of p-n junctions in ZnO by arsenic ion implantation followed by annealing in atomic oxygen
IV Rogozin, AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky
Inorganic Materials 43, 714-719, 2007
62007
The influence of the preliminary ion implantation in the ZnSe on the properties of the ZnO ZnSe structures, obtained by the radical beam gettering epitaxy method
AN Georgobiani, MB Kotljarevsky, UA Aminov, VV Kidalov, IV Rogozin
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators …, 1997
61997
Characterization of the surface of ZnO layers and the ZnO/ZnSe interface in heterostructures prepared by radical-beam getter epitaxy
AN Georgobiani, MB Kotlyarevskii, IV Rogozin
Inorganic materials 31 (10), 1995
61995
Compensation mechanism for hole conduction in ZnO: N films
IV Rogozin, AN Georgobiani, MB Kotlyarevsky, AV Marakhovskii
Inorganic Materials 45, 391-398, 2009
52009
Механизм компенсации дырочной проводимости пленок ZnO: N
ИВ Рогозин, АН Георгобиани, МБ Котляревский, АВ Мараховский
Неорганические материалы 45 (4), 440-448, 2009
52009
Preparation of ZnO: N filmas by radical-beam gettering epitaxy method
IV Rogozin
Semiconductor Physics and Technology 41, 924-928, 2007
52007
Електротехніка. Лабораторні роботи: Навчально-методичний посібник для виконання лабораторних робіт з електротехніки для студентів вищих навчальних педагогічних закладів
ІТ Богданов, ІВ Рогозін
Запоріжжя: Просвіта, 2005
52005
Kinetics of high-temperature defect formation in ZnO in the stream of oxygen radicals
MB Kotlyarevsky, IV Rogozin, AV Marakhovsky
Zinc Oxide—A Material for Micro-and Optoelectronic Applications, 25-34, 2005
52005
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20