| Інформаційні системи і технології маркетингу: навч. посіб. АП Оксанич, ВР Петренко, ОП Костенко К.:«Видавничий дім «Професіонал, 2008 | 80 | 2008 |
| Carbon-rich amorphous silicon carbide and silicon carbonitride films for silicon-based photoelectric devices and optical elements: Application from UV to mid-IR spectral range NIK Bo Sha, Anatolii N. Lukianov, Mykhailo G. Dusheiko, Volodymyr B ... Optical Materials, 109959, 2020 | 17 | 2020 |
| Electrical properties of metal-porous GaAs structure at water adsorption Y Milovanov, V Skryshevsky, I Gavrilchenko, A Oksanich, S Pritchin, ... Journal of Electronic Materials 48, 2587-2592, 2019 | 12 | 2019 |
| Effect of Porous GaAs Layer Morphology on Pd/porous GaAs Schottky Contact IVS A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, M. G. Kogdas, A. G. Kholod Journal of nano- and electronic physics 11 (5), 05007-1-05007-5, 2019 | 10 | 2019 |
| Сучасні технології виробництва кремнію та кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії АП Оксанич, ВА Тербан, СО Волохов, МІ Клюй, ВА Скришевський, ... Монографія. Кривий Ріг. Мінерал.–2010.–267 с, 2010 | 10 | 2010 |
| Effect of the Porous Silicon Layer Structure on Gas Adsorption OAPPSEMMABA Yu. Journal Of Nano- And Electronic Physics 12 (4), 04020-1 – 04020-5, 2020 | 9* | 2020 |
| Моделирование процессов образования дислокаций под действием термических напряжений в слитках GaAs, выращиваемых из расплава методом Чохральского с жидкостной герметизацией АП Оксанич, ЛГ Шепель, ВВ Батареев Прикладная радиоэлектроника 4 (2), 185-194, 2005 | 8 | 2005 |
| Разработка стохастических моделей передаточных функций для системы управления процессом выращивания монокристаллов кремния большого диаметра АП Оксанич, ВР Петренко Вестник Херсонского государственного технического университета, 15, 2002 | 7 | 2002 |
| Principles of the control system for dislocation-free silicon single crystal growing under maintaining the crystal diameter and melt temperature AP Oksanich, SE Pritchin, ND Vdovichenko Functional materials 8 (2), 377-380, 2001 | 7 | 2001 |
| Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра НИ Клюй, АИ Липтуга, ВБ Лозинский, АН Лукьянов, АП Оксанич, ... Письма в Журнал технической физики 38 (13), 27-34, 2012 | 6 | 2012 |
| Архітектура і функціональність дворівневої системи управління вирощуванням злитків кремнію АП Оксанич Радіоелектроніка та інформатика, 39, 2007 | 6 | 2007 |
| Автоматизация выращивания монокристаллов полупроводников по методу Чохральского АП Оксанич, ВР Петренко Научные труды КГПИ.–Кременчуг: КГПИ, 364-367, 2000 | 6 | 2000 |
| Проектирование электромагнитных систем шкивных сепараторов часть 1. Постановка задачи. Решение уравнения магнитной цепи МВ Загирняк, ВМ Усатюк, АП Оксанич, ВП Ляшенко, АВ Никитина Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла …, 2015 | 5 | 2015 |
| Разработка математической модели и прогнозного регулятора для процесса выращивания монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия МВ Загирняк, АП Оксанич, ВР Петренко, СЭ Притчин, ВА Тербан Автоматизированные системы управления и приборы автоматики, 33-43, 2011 | 5 | 2011 |
| Модель термоупругих напряжений и плотности дислокаций в кристаллах GaAs, выращиваемых из расплава АП Оксанич, АВ Вашерук, ПА Хозя Сложные системы и процессы, 3-8, 2007 | 5 | 2007 |
| СВЧ фотомодуляционный метод измерения параметров полупроводниковых пластин и эпитаксиальных структур ЮЕ Гордиенко, БГ Бородин, АВ Вашерук, СД Сидоренко Сложные системы и процессы, 35-39, 2006 | 5 | 2006 |
| Застосування вейвлет-аналізу для діагностики обривів стрижнів роторів асинхронних двигунів ЖІ Ромашихіна, ОМ Андрусенко, АП Оксанич, ВР Петренко Вісник КрНУ ім. М. Остроградського, 73, 2012 | 4 | 2012 |
| Удосконалення методу отримання поруватих плівок GaAs з використанням нечіткого контролера АП Оксанич, Притчин Сергій Емільович, ВМ Чебенко, МГ Когдась, ... Радиоэлектроника и информатика, 4-8, 2019 | 3 | 2019 |
| Методи контролю якості гнучких структур СЕ Притчин, Д Гуріна, НП Демська Радиоэлектроника и информатика, 4-8, 2016 | 3 | 2016 |
| Improvement of a method for measuring residual stresses in the gallium arsenide substrate AP Oksanych, SE Pritchin, VA Terban Automatic control systems and automation devices 161, 222-228, 2012 | 3 | 2012 |
Оксанич Анатолій Петрович (Oksany...КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ МИХАЙЛА ОСТРОГРАДСЬКОГОПодтвержден адрес электронной почты в домене kdu.edu.ua
