Stanislau Prakopyeu
Stanislau Prakopyeu
Белорусский государственный университет, факультет радиофизики и компьютерных технологий, пр
Підтверджена електронна адреса в bsu.by - Домашня сторінка
Назва
Посилання
Посилання
Рік
Оптическая диагностика лазерно− индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце
ГА Новиков, РИ Баталов, РМ Баязитов, ИА Файзрахманов, ГД Ивлев, ...
Журнал технической физики 85 (3), 89-95, 2015
162015
Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: Структура и оптические свойства
ГА Новиков, РИ Баталов, РМ Баязитов, ИА Файзрахманов, НМ Лядов, ...
Физика и техника полупроводников 49 (6), 746-752, 2015
112015
Laser-induced melting and recrystallization of CVD grown polycrystalline Si/SiGe/Ge layers
PI Gaiduk, SL Prakopyeu, VA Zajkov, GD Ivlev, EI Gatskevich
Physica B: Condensed Matter 404 (23-24), 4708-4711, 2009
92009
Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения
ВА Володин, ГК Кривякин, ГД Ивлев, СЛ Прокопьев, СВ Гусакова, ...
Физика и техника полупроводников 53 (3), 423-429, 2019
32019
Особенности агрегации наночастиц серебра в коллоидных растворах, синтезированных боргидридным методом
ЕП Мацкевич, СЛ Прокопьев
Минск: БГУ, 2012
32012
Формирование нанослоев Ge пиролизом моногермана при пониженном давлении
ВА Зайков, ПИ Гайдук, АГ Новиков, СЛ Прокопьев, АС Турцевич, ...
БГУ, 2011
22011
Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге
ЮБ Васильев, ВИ Плебанович, ВБ Оджаев, ПК Садовский, ...
Издательский центр БГУ, 2010
22010
Morphological properties of laser irradiated Si/Ge multilayers
PI Gaiduk, SL Prakopyeu, JL Hansen, AN Larsen
Physica B: Condensed Matter 404 (23-24), 4701-4704, 2009
22009
Электронные процессы в приборных структурах металл-окисел-полупроводник.№ 2313/уч.
ОГ Жевняк, СЛ Прокопьев
12016
Structural Changes in SiGe/Si Layers Induced by Fast Crystallization
PI Gaiduk, SL Prakopyeu
Subsecond Annealing of Advanced Materials, 79-105, 2014
12014
Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением
ГД Ивлев, НМ Казючиц, СЛ Прокопьев, МС Русецкий, ПИ Гайдук
Письма в Журнал технической физики 40 (23), 9-15, 2014
12014
Laser treatment of LPCVD grown Ge films
VA Zajkov, PI Gajduk, AG Novikov, SL Prokop'ev, OY Nalivajko, GD Ivlev
12011
Laser annealing of epitaxial CaF2 films on Si
AV Dvurechenskii, ZV Smagina, VA Volodin, AV Kacyuba, VA Zinovyev, ...
Thin Solid Films 735, 138898, 2021
2021
Разработать технологические режимы выращивания тонких слоев SiC на пластинах Si диаметром 100 мм для перспективных приборных структур силовой и оптоэлектроники: отчет о научно …
ПИ Гайдук, СЛ Прокопьев, МА Моховиков, ДВ Жигулин, НА Лис, ...
Минск: БГУ, 2020
2020
Выращивание гетероструктур 3C-SiC/(100) Si при быстрой термической обработке
МВ Лобанок, СЛ Прокопьев, МА Моховиков, ПИ Гайдук
Минск: БГУ, 2020
2020
Crystallization of submicron amorphous hydrogenated silicon films with different hydrogen concentration by nanosecond ruby laser irradiation
GK Krivyakin, GN Kamaev, GD Ivlev, SL Prakopyeu, VA Volodin
Journal of Laser Applications 31 (1), 012006, 2019
2019
Перспективные технологии в нано-и оптоэлектронике: пособие
АА Афоненко, ПИ Гайдук, ФФ Комаров, АГ Новиков, СЛ Прокопьев, ...
Минск: БГУ, 2018
2018
Разработать и исследовать физико-технологические режимы роста тонких и сверхтонких слоев SiC на кремниевых пластинах для перспективных приборных структур микро-и …
ПИ Гайдук, СЛ Прокопьев, ГД Ивлев, АГ Новиков, МВ Лобанок, ...
Минск: БГУ, 2018
2018
Чувствительность к метану нанокомпозитных слоев SnO2/Ag после импульсного лазерного облучения
ПИ Гайдук, СЛ Прокопьев
Минск: БГУ, 2018
2018
Влияние буферного слоя пористого кремния на рост карбида кремния на кремниевой подложке
МВ Лобанок, СЛ Прокопьев, АГ Новиков, ОВ Мильчанин, АЛ Долгий, ...
Минск: БГУ, 2018
2018
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20