| Влияние запорного металлического катодного контакта на работу коротких диодов Ганна ЮВ Аркуша, АА Дрогаченко, ЭД Прохоров Радиотехника и электроника 33 (6), 1295-1301, 1988 | 20 | 1988 |
| Гетерокатод 1nxGa1-xas/Gaas в Gaas диоде Ганна мм-диапазона ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко Радиотехника и электроника 45 (4), 508-510, 2000 | 16 | 2000 |
| Influence of the variband-layer thickness on the energy and frequency characteristics of In x(z)Ga1 − x(z)As Gunn diodes YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko Journal of Communications Technology and Electronics 51, 352-358, 2006 | 15 | 2006 |
| Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3-5 threefold semiconductor in active zone IP Storozhenko, ED Prokhorov, YV Arkusha International Journal of Infrared and Millimeter Waves 25, 879-890, 2004 | 14 | 2004 |
| Влияние формы напряжения на энергетические характеристики коротких диодов Ганна ЮВ Аркуша, АА Дрогаченко, ЭД Прохоров Радиотехника и электроника 32 (9), 1947-1954, 1987 | 14 | 1987 |
| Антизапорный металлический катодный контакт к коротким диодам Ганна (Antiblocking metallic cathode contact for short Gunn diodes) ЮВ Аркуша, АА Дрогаченко, ЭД Прохоров Радиотехника и электроника 33 (6), 1336-1337, 1988 | 12 | 1988 |
| Respective for using Gunn diodes on the base GaN, AlN and InN IP Storozhenko, YV Arkusha Radiophysics and Electronics 16 (1), 58-63, 2011 | 10 | 2011 |
| Influence of voltage form on power characteristics of short Gunn diodes YV Arkusha, AA Drogachenko, ED Prokhorov Radiotekhnika i Electronicka 32 (9), 1947-1954, 1987 | 9 | 1987 |
| In (x) Ga (1-x) As/GaAs heterocathode in a millimeter-wave GaAs Gunn diode YV Arkusha, YD Prokhorov, IP Storozhenko Radiotekhnika i Ehlektronika 45 (4), 508-510, 2000 | 8 | 2000 |
| Стороженко ИП Диоды Ганна с туннельным катодом ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров Радиофизика и радиоастрономия 3 (4), 419-423, 1998 | 8 | 1998 |
| Prospects for using Gunn diodes based on GaN, AlN and InN IP Storozhenko, YV Arkusha Telecommunications and Radio Engineering 71 (8), 2012 | 7 | 2012 |
| Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN ИП Стороженко, ЮВ Аркуша Радиофизика и электроника, 58-63, 2011 | 7 | 2011 |
| ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ВАРИЗОННОГО СЛОЯ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Inx (z) Ga1–x (z) As ДИОДОВ ГАННА ВЭ ПРИБОРАХ Радиотехника и электроника 51 (2), 2006 | 6 | 2006 |
| РЭ. 1988 ЮВ Аркуша, АА Дрогаченко, ЭД Прохоров Т 33, 1295, 1947 | 6 | 1947 |
| InBN and GaBN graded-gap Gunn diodes IP Storozhenko, AN Yaroshenko, YV Arkusha Telecommunications and Radio Engineering 73 (16), 2014 | 5 | 2014 |
| Пути развития приборов с междолинным переносом электронов ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко Вісник Харківського національного університету ім. ВН Каразіна. Сер …, 2001 | 5 | 2001 |
| Прохоров ЭД Стороженко ИП Гетеропереход InP1-xAsx/GaAs в диоде с междолинным переносом электронов (The InP1-xAsx/GaAs heterojunction in diode with intervally transfer of electrons) ЮВ Аркуша Радиотехника и электроника 41 (2), 248-252, 1996 | 5 | 1996 |
| Стороженко ИП Диоды Ганна миллиметрового диапазона на основе InP0. 6As0. 4 ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров Радиотехника и электроника 39 (11), 1816-1818, 1994 | 5 | 1994 |
| INFLUENCE OF THE METAL CATHODE CONTACT ON THE OPERATION SHORT GUNN-DIODES YV Arkusha, AA Drogachenko, ED Prokhorov Radiotekhnika i Elektronika 33 (6), 1295-1306, 1988 | 5 | 1988 |
| Оптимальные профили легирования диодов Ганна миллиметрового диапазона при 300 и 500 К (Optimum doping profiles for the Gunn diodes of millimeter-wave region at 300 and 500 К) ЮВ Аркуша, АМ Попов, ЭД Прохоров Радиотехника и электроника 35 (7), 1552-1553, 1999 | 4 | 1999 |
