Yuri V. Arkusha, Юрій Аркуша
Yuri V. Arkusha, Юрій Аркуша
Подтвержден адрес электронной почты в домене karazin.ua
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Влияние запорного металлического катодного контакта на работу коротких диодов Ганна
ЮВ Аркуша, АА Дрогаченко, ЭД Прохоров
Радиотехника и электроника 33 (6), 1295-1301, 1988
181988
Гетерокатод 1nxGa1-xas/Gaas в Gaas диоде Ганна мм-диапазона
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Радиотехника и электроника 45 (4), 508-510, 2000
142000
Influence of the variband-layer thickness on the energy and frequency characteristics of In x(z)Ga1 − x(z)As Gunn diodes
YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko
Journal of Communications Technology and Electronics 51 (3), 352-358, 2006
132006
Антизапорный металлический катодный контакт к коротким диодам Ганна (Antiblocking metallic cathode contact for short Gunn diodes)
ЮВ Аркуша, АА Дрогаченко, ЭД Прохоров
Радиотехника и электроника 33 (6), 1336-1337, 1988
121988
Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3-5 threefold semiconductor in active zone
IP Storozhenko, ED Prokhorov, YV Arkusha
International Journal of Infrared and Millimeter Waves 25 (6), 879-890, 2004
112004
Влияние формы напряжения на энергетические характеристики коротких диодов Ганна
ЮВ Аркуша, АА Дрогаченко, ЭД Прохоров
Радиотехника и электроника 32 (9), 1947-1954, 1987
111987
Respective for using Gunn diodes on the base GaN, AlN and InN
IP Storozhenko, YV Arkusha
Radiophysics and Electronics 16 (1), 58-63, 2011
82011
Стороженко ИП Диоды Ганна с туннельным катодом
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров
Радиофизика и радиоастрономия 3 (4), 419-423, 1998
81998
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
ИП Стороженко, ЮВ Аркуша
Радиофизика и электроника, 58-63, 2011
62011
A InxGa1-xAs
YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko
GaAs heterocathode in a GaAs Gunn diode of the mm-wave band, Radiofizika i …, 2000
6*2000
Влияние толщины варизоннго слоя на энергетические и частотные характеристики In [x (z)] Ga [1-x (z)] As диодов Ганна
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Радиотехника и электроника 51 (3), 371-378, 2006
52006
Пути развития приборов с междолинным переносом электронов
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Вісник Харківського національного університету ім. ВН Каразіна. Сер …, 2001
52001
Прохоров ЭД Стороженко ИП Гетеропереход InP1-xAsx/GaAs в диоде с междолинным переносом электронов (The InP1-xAsx/GaAs heterojunction in diode with intervally transfer of electrons)
ЮВ Аркуша
Радиотехника и электроника 41 (2), 248-252, 1996
51996
Стороженко ИП Диоды Ганна миллиметрового диапазона на основе InP0. 6As0. 4
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров
Радиотехника и электроника 39 (11), 1816-1818, 1994
51994
INFLUENCE OF THE METAL CATHODE CONTACT ON THE OPERATION SHORT GUNN-DIODES
YV Arkusha, AA Drogachenko, ED Prokhorov
Radiotekhnika i Elektronika 33 (6), 1295-1306, 1988
51988
PROSPECTS FOR USING GUNN DIODES BASED ON GaN, AlN AND InN
IP Storozhenko, YV Arkusha
Telecommunications and Radio Engineering 71 (8), 2012
32012
Диоды Ганна на основе варизонных полупроводников
ИП Стороженко, ЮВ Аркуша, ЕН Животова
20-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные …, 2010
32010
Оптимальные профили легирования диодов Ганна миллиметрового диапазона при 300 и 500 К (Optimum doping profiles for the Gunn diodes of millimeter-wave region at 300 and 500 К)
ЮВ Аркуша, АМ Попов, ЭД Прохоров
Радиотехника и электроника 35 (7), 1552-1553, 1999
31999
Frequency range of Gunn diodes on base of graded-gap semiconductor nitrides
IP Storozhenko, YV Arkusha
2012 6th International Conference on Ultrawideband and Ultrashort Impulse …, 2012
22012
Gann diodes on basis of variband semiconductors
IP Storozhenko, YV Arkusha, EN Zhivotova
2010 20th International Crimean Conference" Microwave & Telecommunication …, 2010
22010
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20