| Моделирование методом Монте-Карло приборных структур интегральной электроники ВМ Борздов, ОГ Жевняк, ФФ Комаров, ВО Галенчик Белорусский государственный университет, 2007 | 40 | 2007 |
| Влияние электрон-электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного полевого транзистора: метод Монте-Карло ВМ Борздов, ОГ Жевняк, ФФ Комаров Физика и техника полупроводников 29 (2), 193-200, 1995 | 15 | 1995 |
| Моделирование паразитных туннельных токов в элементах флеш-памяти на основе короткоканальных МОП-транзисторов ОГ Жевняк Евразийский Союз Ученых, 26-28, 2020 | 5 | 2020 |
| Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти ОГ Жевняк Международный научно-исследовательский журнал, 46-48, 2015 | 5 | 2015 |
| Влияние уровня легирования и температуры на подвижность электронов в n-канале МОП-полевого транзистора АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, ФФ Комаров Инженерно-физический журнал 71 (1), 116-119, 1998 | 5 | 1998 |
| Оценка влияния формы квантовой ямы на подвижность электронов инверсионного слоя МОП полевого транзистора ВМ Борздов, ММ Врубель, ОГ Жевняк, ФФ Комаров Письма в Журнал технической физики 21 (7), 69-73, 1995 | 5 | 1995 |
| Расчет методом Монте-Карло дрейфовой скорости электронов в канале кремниевого n-канального МОП-транзистора ВМ Борздов, ОГ Жевняк Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук …, 1991 | 5 | 1991 |
| Апроксимация начального участка ВАХ высоколегированного МОП-транзистора АД Андреев, АА Валиев, ОГ Жевняк, СГ Мулярчик, ИМ Шевкун Радиофизика и электроника. Сборник научных статей., 2003 | 4 | 2003 |
| Моделирование влияния глубины залегания стока на паразитные туннельные токи в элементах флеш-памяти ОГ Жевняк, ВМ Борздов, АВ Борздов Евразийский Союз ученых. Серия: техн. и физ.-мат. науки 1 (12), 58-61, 2021 | 3 | 2021 |
| SIMULATION OF DRAIN DEPTH EFFECT ON PARASITIC CURRENTS IN FLASH-MEMORY CELLS. О Жевняк, В Борздов, А Борздов EurasianUnionScientists, 58-61, 2022 | 2 | 2022 |
| Коэффициенты туннелирования электронов через потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы ОГ Жевняк Международный научно-исследовательский журнал, 49-53, 2015 | 2 | 2015 |
| Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторах ОГ Жевняк, ИМ Шевкун Минск: БГУ, 2014 | 2 | 2014 |
| Влияние уровня легирования подложки МОП-транзистора на размер области ионизации АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, ФФ Комаров Доклады Национальной академии наук Беларуси 43 (1), 37-40, 1999 | 2 | 1999 |
| Моделирование электрофизических параметров элементов флеш-памяти методом Монте-Карло ОГ Жевняк, ВМ Борздов, АВ Борздов, АН Петлицкий Приборы и методы измерений 13 (4), 276-280, 2022 | 1 | 2022 |
| Электронные процессы в приборных структурах метал-окисел-полупроводник№ УД-660/р ОГ Жевняк | 1 | 2013 |
| Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИС ВМ Борздов, АВ Борздов, ДВ Поздняков, ОГ Жевняк, ДС Сперанский, ... БГУ, 2011 | 1 | 2011 |
| Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторах ОГ Жевняк Материалы конференции ФММН2010, 2010 | 1 | 2010 |
| Формирование проводящего канала в высоколегированном nМОП-транзисторе в линейном режиме работы АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, СГ Мулярчик, ... БГУ, 2007 | 1 | 2007 |
| Моделирование переноса электронов в транзисторе на гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs АВ Борздов, ВМ Борздов, ВО Галенчик, ОГ Жевняк, ФФ Комаров Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук …, 2006 | 1 | 2006 |
| Влияние уровня легирования подложки и толщины подзатворного окисла на ВАХ N-канального МОП-транзистора АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, СГ Мулярчик, ... Минск: БГУ, 2005 | 1 | 2005 |
