Підписатись
Жевняк, Олег Григорьевич; OG Zhevnyak, ОГ Жевняк
Жевняк, Олег Григорьевич; OG Zhevnyak, ОГ Жевняк
Belarusian State University, Physics Department, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus
Підтверджена електронна адреса в bsu.by - Домашня сторінка
Назва
Посилання
Посилання
Рік
Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИС
ВМ Борздов, АВ Борздов, ДВ Поздняков, ОГ Жевняк, ДС Сперанский, ...
БГУ, 2011
322011
Влияние электрон-электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного полевого транзистора: метод Монте-Карло
ВМ Борздов, ОГ Жевняк, ФФ Комаров
Физика и техника полупроводников 29 (2), 193-200, 1995
131995
Моделирование паразитных туннельных токов в элементах флеш-памяти на основе короткоканальных МОП-транзисторов
ОГ Жевняк
Евразийский Союз Ученых, 26-28, 2020
62020
Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти
ОГ Жевняк
Международный научно-исследовательский журнал, 46-48, 2015
52015
Влияние уровня легирования и температуры на подвижность электронов в n-канале МОП-полевого транзистора
АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, ФФ Комаров
Инженерно-физический журнал 71 (1), 116-119, 1998
51998
Оценка влияния формы квантовой ямы на подвижность электронов инверсионного слоя МОП полевого транзистора
ВМ Борздов, ММ Врубель, ОГ Жевняк, ФФ Комаров
Письма в Журнал технической физики 21 (7), 69-73, 1995
51995
Расчет методом Монте-Карло дрейфовой скорости электронов в канале кремниевого n-канального МОП-транзистора
ВМ Борздов, ОГ Жевняк
Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук …, 1991
41991
Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторах
ОГ Жевняк, ИМ Шевкун
Минск: БГУ, 2014
32014
Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов в инверсионном слое кремниевой субмикронной МОП-структуры
ВМ Борзов, ОГ Жевняк, ФФ Комаров
Микроэлектроника 24 (1), 38-41, 1995
31995
Коэффициенты туннелирования электронов через потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы
ОГ Жевняк
Международный научно-исследовательский журнал, 49-53, 2015
22015
Электронные процессы в приборных структурах метал-окисел-полупроводник№ УД-660/р
ОГ Жевняк
12013
Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторах
ОГ Жевняк
Материалы конференции ФММН2010, 2010
12010
Формирование проводящего канала в высоколегированном nМОП-транзисторе в линейном режиме работы
АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, СГ Мулярчик, ...
БГУ, 2007
12007
Влияние уровня легирования подложки и толщины подзатворного окисла на ВАХ N-канального МОП-транзистора
АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, СГ Мулярчик, ...
Минск: БГУ, 2005
12005
Гибридная модель термостабилизации тока стока в n-канальных моп-транзисторах
АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, ФФ Комаров
Инженерно-физический журнал 76 (4), 104-106, 2003
12003
Влияние уровня легирования подложки МОП-транзистора на размер области ионизации
АД Андреев, ВМ Борздов, АА Валиев, ОГ Жевняк, ФФ Комаров
Доклады Национальной академии наук Беларуси 43 (1), 37-40, 1999
11999
Моделирование методом Монте-Карло электрон-электронного рассеяния в n-канале кремниевого МОП-транзистора
ВМ Борздов, ОГ Жевняк
Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук …, 1994
11994
SIMULATION OF DRAIN DEPTH EFFECT ON PARASITIC CURRENTS IN FLASH-MEMORY CELLS.
О Жевняк, В Борздов, А Борздов
EurasianUnionScientists, 58-61, 2022
2022
Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памяти
ОГ Жевняк, ВМ Борздов, АВ Борздов, АВ Леонтьев
Минск: РИВШ, 2022
2022
Моделирование плотности тока в короткоканальных моп-транзисторах
ОГ Жевняк, ВМ Борздов, АВ Борздов
БНТУ, 2021
2021
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20