Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2019 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 156 | 100 |
h-индекс | 6 | 6 |
i10-индекс | 5 | 5 |
Общий доступ
Просмотреть все0 статей
3 статьи
доступно
недоступно
На основе финансирования
Соавторы
- Kazuhiro HonoNational Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
- Shinya KASAISenior Researcher, National Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
- YK TakahashiNational Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
- Seiji MitaniNational Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
- Tadakatsu OhkuboResearch Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
- Takao FurubayashiNational Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
- Hiroaki SukegawaNational Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
- Mohamed BelmoubarikMohammed VI Polytechnic University, Kingdom of MoroccoПодтвержден адрес электронной почты в домене um6p.ma
- Hwachol LeeSchool of Physics, Trinity College DublinПодтвержден адрес электронной почты в домене tcd.ie
- Xian-Dong XU (徐 先東)Professor / Hunan University (湖南大学)Подтвержден адрес электронной почты в домене hnu.edu.cn
Подписаться
IKHTIAR
Samsung Semiconductor Inc. (Samsung DSA)
Подтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com