| Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя АМ Генкин, ВК Генкина, ЛП Гермаш Журнал технической физики 69 (10), 69-76, 1999 | 9 | 1999 |
| Photovoltaic effect in a p-type CuInSe2/green leaf heterojunction VY Rud’, YV Rud’, VK Shpunt Semiconductors 31, 97-99, 1997 | 8 | 1997 |
| Влияние длительной работы при максимальной токовой нагрузке на характеристики карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, СА Станкевич Журнал технической физики 67 (1), 130-132, 1997 | 8 | 1997 |
| Кинетика пробойной электролюминесценции в p-n-переходах на карбиде кремния АМ Генкин, В Генкина, ЛП Гермаш Журнал технической физики 70 (4), 52-55, 2000 | 5* | 2000 |
| Электронная техника ЮМ Алтайский, АМ Генкин, ВК Генкина Сер 2, 76-78, 1987 | 5 | 1987 |
| Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния МВ Белоус, АМ Генкин, В Генкина Физика и техника полупроводников 33 (6), 727-732, 1999 | 4 | 1999 |
| Effect of continuous operation at maximum current load on the characteristics of SiC LEDs operating in the electrical breakdown mode MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich J. Technical Physics 67 (1), 130-132, 1997 | 4 | 1997 |
| О спектрах пробойной электролюминесценции р-n-структур на карбиде кремния МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, ОА Гусева Физика и техника полупроводников 31 (2), 213-217, 1997 | 4* | 1997 |
| Широкополосный светодиод с малой площадью излучения ЮМ Алтайский, СФ Авраменко, АМ Генкин, ВК Генкина, ВС Киселев, ... Приборы и техника эксперимента, 245, 1986 | 4 | 1986 |
| Oscillatory structure in radiation spectra of individual microplasmas in silicon carbide pn-junctions AM Genkin, VK Genkina, LP Germash, SM Zubkova The European Physical Journal Applied Physics 33 (3), 161-167, 2006 | 3 | 2006 |
| PRE-BREAKDOWN VIOLET LUMINESCENCE EMITTED BY CUBIC SILICON-CARBIDE AM Genkin, VN Rodionov SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 13 (4), 463-464, 1979 | 3 | 1979 |
| Reference LED source of subnanosecond pulses of broadband optical radiation S Voronov, O Genkin, V Genkina, V Rodionov, R Romaniuk, P Kisała, ... Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High …, 2017 | 2 | 2017 |
| Breakdown electroluminescence spectra of silicon carbide p-n junctions MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, OA Guseva Semiconductors 31, 169-172, 1997 | 2 | 1997 |
| Influence of prolonged operation at the maximum current load on the characteristics of silicon carbide light-emitting diodes operating in an electrical breakdown regime. MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich Technical Physics 42 (1), 1997 | 2 | 1997 |
| Radiation polarization of silicon carbide pn-structures, operating in electrical breakdown regime AM Genkin, VK Genkina, SM Zubkova The European Physical Journal Applied Physics 70 (2), 20103, 2015 | 1 | 2015 |
| Широкосмугові еталонні випромінювачі для УФ-області на основі карбіду кремнію ОМ Генкін, ВК Генкіна, МД Гераїмчук, ЛП Гермаш, ПВ Неводовський НТУУ «КПІ», 2008 | 1 | 2008 |
| Kinetics of breakdown electroluminescence in silicon carbide p-n structures AM Genkin, VK Genkina, LP Germash Technical Physics 45, 432-435, 2000 | 1 | 2000 |
| Effect of prolonged operation and temperature on the spectra of silicon carbide lightemitting diodes operating in an electric breakdown regime AM Genkin, VK Genkina, LP Germash Technical Physics 44, 1191-1197, 1999 | 1 | 1999 |
| Influence of temperature on the spectral composition of the breakdown electroluminescence of silicon carbide p-n structures MV Belous, AM Genkin, VK Genkina Semiconductors 33, 672-676, 1999 | 1 | 1999 |
| Стабильные формирователи импульсного тока для питания светодиодов ЄВ Аушев, СО Воронов, ОМ Генкін, ВК Генкіна, ВМ Родіонов Вісник Національного технічного університету України" Київський …, 2016 | | 2016 |
