Follow
Ігор Стороженко, Ihor Storozhenko
Ігор Стороженко, Ihor Storozhenko
Харківський національний технічний університет сільського господарства ім. Петра Василенка; KhNTUSG
Verified email at khntusg.com.ua
Title
Cited by
Cited by
Year
Гетерокатод 1nxGa1-xas/Gaas в Gaas диоде Ганна мм-диапазона
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Радиотехника и электроника 45 (4), 508-510, 2000
162000
Initiation and Drift of the Space-Charge Waves in Devices Based on Variband GaPx(z)As1−x(z) with the Intervalley Electron Transport
IP Storozhenko
Telecommunications and Radio Engineering 67 (10), 2008
152008
Influence of the variband-layer thickness on the energy and frequency characteristics of In x (z) Ga1− x (z) As Gunn diodes
YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko
Journal of Communications Technology and Electronics 51 (3), 352-358, 2006
152006
Modelling the Gunn diodes based on variband semiconductors
IP Storozhenko
Telecommunications and Radio Engineering 59 (1&2), 2003
152003
Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3-5 threefold semiconductor in active zone
IP Storozhenko, ED Prokhorov, YV Arkusha
International Journal of Infrared and Millimeter Waves 25 (6), 879-890, 2004
132004
Respective for using Gunn diodes on the base GaN, AlN and InN
IP Storozhenko, YV Arkusha
Radiophysics and Electronics 16 (1), 58-63, 2011
102011
Graded-gap alinn gunn diodes
IP Storozhenko, AN Yaroshenko, MV Kaydash
92012
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx (z) As1-x (z)
ИП Стороженко
Інститут радіофізики і електроніки ім. АЯ Усикова НАН України, 2007
92007
Frequency characteristics of diodes with intervalley electron transfer that are based on variband In x (z) Ga1− x (z) As with various cathode contacts
IP Storozhenko
Journal of Communications Technology and Electronics 52 (10), 1158-1164, 2007
72007
In (x) Ga (1-x) As/GaAs heterocathode in a millimeter-wave GaAs Gunn diode
YV Arkusha, YD Prokhorov, IP Storozhenko
Radiotekhnika i Ehlektronika 45 (4), 508-510, 2000
72000
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
ИП Стороженко, ЮВ Аркуша
Радиофизика и электроника, 58-63, 2011
62011
Влияние толщины варизоннго слоя на энергетические и частотные характеристики In [x (z)] Ga [1-x (z)] As диодов Ганна
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Радиотехника и электроника 51 (3), 371-378, 2006
62006
Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников
ИП Стороженко
Радиофизика и электрон.: сб. науч. тр./Ин-т радиофизики и электрон. НАН …, 2003
62003
Стороженко ИП Диоды Ганна миллиметрового диапазона на основе InP0. 6As0. 4
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров
Радиотехника и электроника 39 (11), 1816-1818, 1994
61994
Stationary domain in graded-gap AlGaAs Transferred-electron device
IP Storozhenko
Telecommunications and Radio Engineering 75 (12), 1101-1111, 2016
52016
Gunn diodes on base of As Ga Al x (z) 1 x (z)-variband with different cathode contacts
IP Storozhenko
Radiophys. and Radioastronom 11 (2), 186-197, 2006
52006
О совместной работе резонансно-туннельного диода и диода с междолинным переносом электронов
ОВ Боцула, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Вестник Харьковского национального университета им. ВН Каразина, Радиофизика …, 2002
52002
Пути развития приборов с междолинным переносом электронов
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Вісник Харківського національного університету ім. ВН Каразіна. Сер …, 2001
52001
Gunn diodes based on graded InGaP-InPAs
IP Storozhenko, MV Kaydash
Sumy State University, 2018
42018
Огляд досягнень в терагерцових комунікаційних системах
ІМ Майборода, ІП Стороженко, ВП Бабенко, МВ Кайдаш
Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України, 45-48, 2016
42016
The system can't perform the operation now. Try again later.
Articles 1–20