| Initiation and Drift of the Space-Charge Waves in Devices Based on Variband GaPx(z)As1−x(z) with the Intervalley Electron Transport IP Storozhenko Telecommunications and Radio Engineering 67 (10), 2008 | 17 | 2008 |
| Гетерокатод 1nxGa1-xas/Gaas в Gaas диоде Ганна мм-диапазона ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко Радиотехника и электроника 45 (4), 508-510, 2000 | 16 | 2000 |
| Influence of the variband-layer thickness on the energy and frequency characteristics of In x(z)Ga1 − x(z)As Gunn diodes YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko Journal of Communications Technology and Electronics 51, 352-358, 2006 | 15 | 2006 |
| Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3-5 threefold semiconductor in active zone IP Storozhenko, ED Prokhorov, YV Arkusha International Journal of Infrared and Millimeter Waves 25, 879-890, 2004 | 14 | 2004 |
| Modelling the Gunn diodes based on variband semiconductors IP Storozhenko Telecommunications and Radio Engineering 59 (1&2), 2003 | 14 | 2003 |
| Graded-gap alinn gunn diodes IP Storozhenko, AN Yaroshenko, MV Kaydash | 11 | 2012 |
| Static domain in a transferred-electron device based on graded-gap AlGaAs IP Storozhenko Telecommunications and Radio Engineering 75 (12), 2016 | 10 | 2016 |
| Respective for using Gunn diodes on the base GaN, AlN and InN IP Storozhenko, YV Arkusha Radiophysics and Electronics 16 (1), 58-63, 2011 | 10 | 2011 |
| Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx (z) As1-x (z) ИП Стороженко Інститут радіофізики і електроніки ім. АЯ Усикова НАН України, 2007 | 10 | 2007 |
| Frequency characteristics of diodes with intervalley electron transfer that are based on variband In x(z)Ga1 − x(z)As with various cathode contacts IP Storozhenko Journal of Communications Technology and Electronics 52, 1158-1164, 2007 | 8 | 2007 |
| In (x) Ga (1-x) As/GaAs heterocathode in a millimeter-wave GaAs Gunn diode YV Arkusha, YD Prokhorov, IP Storozhenko Radiotekhnika i Ehlektronika 45 (4), 508-510, 2000 | 8 | 2000 |
| Prospects for using Gunn diodes based on GaN, AlN and InN IP Storozhenko, YV Arkusha Telecommunications and Radio Engineering 71 (8), 2012 | 7 | 2012 |
| Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN ИП Стороженко, ЮВ Аркуша Радиофизика и электроника, 58-63, 2011 | 7 | 2011 |
| Gunn diodes based on graded-gap GaInPAs I Storozhenko Journal of Nano-and Electronic Physics 12 (1), 2020 | 6 | 2020 |
| Gunn diodes based on graded InGaP-InPAs IP Storozhenko, MV Kaydash Journal of Nano-and Electronic Physics 10 (4), 2018 | 6 | 2018 |
| ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ВАРИЗОННОГО СЛОЯ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Inx (z) Ga1–x (z) As ДИОДОВ ГАННА ВЭ ПРИБОРАХ Радиотехника и электроника 51 (2), 2006 | 6 | 2006 |
| Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников ИП Стороженко Радиофизика и электрон.: сб. науч. тр./Ин-т радиофизики и электрон. НАН …, 2003 | 6 | 2003 |
| Огляд досягнень в терагерцових комунікаційних системах ІМ Mayboroda, ІP Storozhenko, МV Kaydash Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України 1 …, 2016 | 5 | 2016 |
| InBN and GaBN graded-gap Gunn diodes IP Storozhenko, AN Yaroshenko, YV Arkusha Telecommunications and Radio Engineering 73 (16), 2014 | 5 | 2014 |
| Методы рефрактометрии и поляриметрии ІП Стороженко, ВО Тіманюк, ОМ Животова | 5 | 2012 |
Yuri V. Arkusha, Юрій АркушаV.N.Karazin Kharkiv National UniversityVerified email at karazin.ua
