Ігор Стороженко, Ihor Storozhenko
Ігор Стороженко, Ihor Storozhenko
Харківський національний технічний університет сільського господарства ім. Петра Василенка
Подтвержден адрес электронной почты в домене khntusg.com.ua
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Initiation and Drift of the Space-Charge Waves in Devices Based on Variband GaPx(z)As1−x(z) with the Intervalley Electron Transport
IP Storozhenko
Telecommunications and Radio Engineering 67 (10), 2008
142008
Гетерокатод 1nxGa1-xas/Gaas в Gaas диоде Ганна мм-диапазона
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Радиотехника и электроника 45 (4), 508-510, 2000
142000
Influence of the variband-layer thickness on the energy and frequency characteristics of In x(z)Ga1 − x(z)As Gunn diodes
YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko
Journal of Communications Technology and Electronics 51 (3), 352-358, 2006
132006
Modelling the Gunn diodes based on variband semiconductors
IP Storozhenko
Telecommunications and Radio Engineering 59 (1&2), 2003
122003
Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3-5 threefold semiconductor in active zone
IP Storozhenko, ED Prokhorov, YV Arkusha
International Journal of Infrared and Millimeter Waves 25 (6), 879-890, 2004
112004
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx (z) As1-x (z)
ИП Стороженко
Інститут радіофізики і електроніки ім. АЯ Усикова НАН України, 2007
92007
Graded-gap alinn gunn diodes
IP Storozhenko, AN Yaroshenko, MV Kaydash
82012
Respective for using Gunn diodes on the base GaN, AlN and InN
IP Storozhenko, YV Arkusha
Radiophysics and Electronics 16 (1), 58-63, 2011
82011
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
ИП Стороженко, ЮВ Аркуша
Радиофизика и электроника, 58-63, 2011
62011
Frequency characteristics of diodes with intervalley electron transfer that are based on variband In x(z)Ga1 − x(z)As with various cathode contacts
IP Storozhenko
Journal of Communications Technology and Electronics 52 (10), 1158-1164, 2007
62007
Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников
ИП Стороженко
Радиофизика и электрон.: сб. науч. тр./Ин-т радиофизики и электрон. НАН …, 2003
62003
A InxGa1-xAs
YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko
GaAs heterocathode in a GaAs Gunn diode of the mm-wave band, Radiofizika i …, 2000
6*2000
Stationary domain in graded-gap AlGaAs Transferred-electron device
IP Storozhenko
Telecommunications and Radio Engineering 75 (12), 1101-1111, 2016
52016
Влияние толщины варизоннго слоя на энергетические и частотные характеристики In [x (z)] Ga [1-x (z)] As диодов Ганна
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Радиотехника и электроника 51 (3), 371-378, 2006
52006
Gunn diodes on base of As Ga Al x (z) 1 x (z)-variband with different cathode contacts
IP Storozhenko
Radiophys. and Radioastronom 11 (2), 186-197, 2006
52006
О совместной работе резонансно-туннельного диода и диода с междолинным переносом электронов
ОВ Боцула, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Вестник Харьковского национального университета им. ВН Каразина, Радиофизика …, 2002
52002
Пути развития приборов с междолинным переносом электронов
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко
Вісник Харківського національного університету ім. ВН Каразіна. Сер …, 2001
52001
Стороженко ИП Диоды Ганна миллиметрового диапазона на основе InP0. 6As0. 4
ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров
Радиотехника и электроника 39 (11), 1816-1818, 1994
51994
Огляд досягнень в терагерцових комунікаційних системах
ІМ Майборода, ІП Стороженко, ВП Бабенко, МВ Кайдаш
Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України, 45-48, 2016
42016
ЧАСТОТНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДИОДОВ С МЕЖДОЛИННЫМ ПЕРЕНОСОМ ЭЛЕКТРОНОВ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО Inx(z)Ga1 - x(z)As С …
ИП Стороженко
Радиотехника и электроника 52 (10), 1253-1259, 2007
42007
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20