| Initiation and Drift of the Space-Charge Waves in Devices Based on Variband GaPx(z)As1−x(z) with the Intervalley Electron Transport IP Storozhenko Telecommunications and Radio Engineering 67 (10), 2008 | 15 | 2008 |
| Гетерокатод 1nxGa1-xas/Gaas в Gaas диоде Ганна мм-диапазона ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко Радиотехника и электроника 45 (4), 508-510, 2000 | 15 | 2000 |
| Influence of the variband-layer thickness on the energy and frequency characteristics of In x (z) Ga 1− x (z) As Gunn diodes YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko Journal of Communications Technology and Electronics 51 (3), 352-358, 2006 | 13 | 2006 |
| Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3-5 threefold semiconductor in active zone IP Storozhenko, ED Prokhorov, YV Arkusha International Journal of Infrared and Millimeter Waves 25 (6), 879-890, 2004 | 12 | 2004 |
| Modelling the Gunn diodes based on variband semiconductors IP Storozhenko Telecommunications and Radio Engineering 59 (1&2), 2003 | 12 | 2003 |
| Respective for using Gunn diodes on the base GaN, AlN and InN IP Storozhenko, YV Arkusha Radiophysics and Electronics 16 (1), 58-63, 2011 | 9 | 2011 |
| Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx (z) As1-x (z) ИП Стороженко Інститут радіофізики і електроніки ім. АЯ Усикова НАН України, 2007 | 9 | 2007 |
| Graded-gap alinn gunn diodes IP Storozhenko, AN Yaroshenko, MV Kaydash | 8 | 2012 |
| Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN ИП Стороженко, ЮВ Аркуша Радиофизика и электроника, 58-63, 2011 | 6 | 2011 |
| Frequency characteristics of diodes with intervalley electron transfer that are based on variband In x (z) Ga 1− x (z) As with various cathode contacts IP Storozhenko Journal of Communications Technology and Electronics 52 (10), 1158-1164, 2007 | 6 | 2007 |
| Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников ИП Стороженко Радиофизика и электрон.: сб. науч. тр./Ин-т радиофизики и электрон. НАН …, 2003 | 6 | 2003 |
| A InxGa1-xAs YV Arkusha, ED Prokhorov, IP Storozhenko GaAs heterocathode in a GaAs Gunn diode of the mm-wave band, Radiofizika i …, 2000 | 6* | 2000 |
| Влияние толщины варизоннго слоя на энергетические и частотные характеристики In [x (z)] Ga [1-x (z)] As диодов Ганна ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко Радиотехника и электроника 51 (3), 371-378, 2006 | 5 | 2006 |
| Gunn diodes on base of As Ga Al x (z) 1 x (z)-variband with different cathode contacts IP Storozhenko Radiophys. and Radioastronom 11 (2), 186-197, 2006 | 5 | 2006 |
| О совместной работе резонансно-туннельного диода и диода с междолинным переносом электронов ОВ Боцула, ЭД Прохоров, ИП Стороженко Вестник Харьковского национального университета им. ВН Каразина, Радиофизика …, 2002 | 5 | 2002 |
| Пути развития приборов с междолинным переносом электронов ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров, ИП Стороженко Вісник Харківського національного університету ім. ВН Каразіна. Сер …, 2001 | 5 | 2001 |
| Стороженко ИП Диоды Ганна миллиметрового диапазона на основе InP0. 6As0. 4 ЮВ Аркуша, ЭД Прохоров Радиотехника и электроника 39 (11), 1816-1818, 1994 | 5 | 1994 |
| Огляд досягнень в терагерцових комунікаційних системах ІМ Майборода, ІП Стороженко, ВП Бабенко, МВ Кайдаш Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України, 45-48, 2016 | 4 | 2016 |
| Static domain in a transferred-electron device based on graded-gap AlGaAs IP Storozhenko Telecommunications and Radio Engineering 75 (12), 2016 | 4 | 2016 |
| ЧАСТОТНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДИОДОВ С МЕЖДОЛИННЫМ ПЕРЕНОСОМ ЭЛЕКТРОНОВ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО Inx(z)Ga1 - x(z)As С … ИП Стороженко Радиотехника и электроника 52 (10), 1253-1259, 2007 | 4 | 2007 |
Yuri V. Arkusha, Юрій АркушаV.N.Karazin Kharkiv National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене karazin.ua
