Підписатись
Володимир Тартачник
Володимир Тартачник
Інститут ядерних досліджень НАН України, відділ радіаційної фізики
Немає підтвердженої електронної адреси
Назва
Посилання
Посилання
Рік
Comparing features in metallurgical interaction when applying different techniques of arc and plasma surfacing of steel wire on titanium
V Korzhyk, V Khaskin, A Grynyuk, O Ganushchak, S Peleshenko, ...
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies 4 (12), 112, 2021
292021
About bond model of S-type negative differential resistance in GaP LEDs
G Gaydar, O Konoreva, Y Maliy, Y Olikh, I Petrenko, M Pinkovska, ...
Superlattices and Microstructures 104, 316-320, 2017
132017
The influence of acoustic-dislocation interaction on intensity of the bound exciton recombination in initial and irradiated GaAsP LEDs structures
OV Konoreva, YM Olikh, MB Pinkovska, OI Radkevych, VP Tartachnyk, ...
Superlattices and Microstructures 102, 88-93, 2017
132017
Degradation-Reduction Features of Electrophysical Characteristics of Irradiated Gallium Phosphide Light-Emitting Diodes
RM Vernydub, OI Kyrylenko, OV Konoreva, OI Radkevych, DP Stratilat, ...
Acta Physica Polonica A 140 (2), 141-144, 2021
102021
Деградационно-релаксационные явления в светоизлучающих pn-структурах на основе фосфида галлия, стимулированные ультразвуком
АН Гонтарук, ДВ Корбутяк, ЕВ Корбут, ВФ Мачулин, ЯМ Олих, ...
Письма в Журнал технической физики 24 (15), 64-68, 1998
91998
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
RM Vernydub, OI Kyrylenko, MM Filonenko, OV Konoreva, DP Stratilat, ...
Yaderna Fyizika ta Energetika, 143-148, 2021
82021
Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
O Konoreva, V Opilat, M Pinkovska, V Tartachnyk
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006
52006
О влиянии ультразвука на дегра-дационно-релаксионные явления в светоизлучающих р-n структурах
АМ Гонтарук, ДВ Корбутяк, ЕВ Корбут, ВФ Мачулин, ЯМ Олих, ...
Письма в ЖТФ 24 (5), 64-68, 1998
51998
Elektrolyuminescenciya serijnyh svetodiodov GaP v zelenoj oblasti spektra [Electroluminescence of GaP serial LEDs in the green region of the spectrum]
ON Gontaruk, AV Kovalenko, OV Konoreva, EV Malyj, IV Petrenko, ...
Zhurnal prikladnoj spektroskopii 80 (6), 859-863, 2013
42013
Электролюминесценция серийных светодиодов GaP в зеленой области спектра
ОН Гонтарук, АВ Коваленко, ОВ Конорева, ЕВ Малый, ИВ Петренко, ...
Журнал прикладной спектроскопии 80 (6), 859-863, 2013
42013
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
P Litovchenko, A Litovchenko, O Konoreva, V Opilat, M Pinkovska, ...
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009
42009
Degradation-relaxation processes stimulated by structural defects in green gallium-phosphide light-emitting diodes
OV Konoreva, PG Litovchenko, VY Opylat, MB Pinkovska, VP Tartachnyk
Ukrayins' kij Fyizichnij Zhurnal (Kyiv) 51, 2006
42006
Analyzing metallurgical interaction during arc surfacing of barrier layers on titanium to prevent the formation of intermetallics in titanium-steel compounds
V Korzhyk, V Khaskin, A Grynyuk, O Ganushchak, V Shcheretskiy, ...
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies 5 (12), 113, 2021
32021
СПЕКТРАЛЬНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВИХІДНИХ ТА ОПРОМІНЕНИХ СВІТЛОДІОДІВ GaAsP.
РМ Вернидуб, ОІ Кириленко, ОВ Конорева, ДП Стратілат, ...
Nuclear Physics & Atomic Energy 22 (2), 2021
32021
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
RM Vernydub, OI Kyrylenko, MM Filonenko, OV Konoreva, ...
Yaderna Fyizika ta Energetika, 56-61, 2021
32021
Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋ хPх LEDs electroluminescence intensity
OV Konoreva, MV Lytovchenko, YV Malyi, YM Olikh, IV Petrenko, ...
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016
32016
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
O Hontaruk, O Konoreva, P Litovchenko, V Manzhara, V Opilat, ...
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics, 30-35, 2010
32010
Establishing patterns in the structure formation of polymer nanocomposites based on polyamide 6 during their crystallization processes
N Fialko, N Meranova, J Sherenkovskii, R Navrodska, V Babak, V Korzhyk, ...
Technology Center, 2024
22024
Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
OV Konoreva, MV Lytovchenko, YV Malyi, IV Petrenko, MB Pinkovska, ...
Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics, 2015
22015
Electroluminescence of commercial gap green-light-emitting diodes
ON Gontaruk, AV Kovalenko, OV Konoreva, EV Malyj, IV Petrenko, ...
Journal of Applied Spectroscopy 80, 851-854, 2014
22014
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20