| Structure changes caused by the stress gradient in subsurface layers of germanium single crystals V Nadtochy, I Zhikharev, M Golodenko, M Nechvolod Solid State Phenomena 94, 253-256, 2003 | 14 | 2003 |
| Microplasticity and electrical properties of subsurface layers of diamond-like semiconductors strained at low temperatures V Nadtochiy, N Nechvolod, N Golodenko Functional materials 10 (4), 702-706, 2003 | 13 | 2003 |
| ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ Gе и Si ВА Надточий, НК Нечволод, ДГ Сущенко Физика и техника высоких давлений 11 (1), 2001 | 9 | 2001 |
| Ползучесть кристаллических тел при низких температурах НК Нечволод Вища школа, 1980 | 9 | 1980 |
| Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge ОІ Уколов, ВО Надточій, МК Нечволод Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2010 | 6 | 2010 |
| О закономерностях пластической деформации кремния при комнатной температуре ВА Надточий, ВП Алехин, НК Нечволод, МХ Шоршоров Физика и химия обраб. материалов, 103-107, 1974 | 6 | 1974 |
| ТЕХНИЧЕСКАЯ ФИЗИКА АВ ПИНАЕВ, АИ СЫЧЕВ, П ГАЗОВ Доклады Академии наук СССР 275, 74, 1984 | 5 | 1984 |
| Некоторые закономерности ступенчатой ползучести монокристаллического германия при 300 К ВП Алехин, ВА Надточий, НК Нечволод, МХ Шоршоров Физика и химия обраб. материалов, 112, 1974 | 5 | 1974 |
| Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках ВА Надточий, НК Нечволод, НН Голоденко Физика и техника высоких давлений 14 (3), 42-48, 2004 | 4 | 2004 |
| Рух дислокацій у напівпровідниках, спричинений градієнтом на-пружень ВО Надточій, ММ Голоденко, МК Нечволод, ІВ Жихарєв, ОВ Періг PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE 4 (1), 76-79, 2003 | 4 | 2003 |
| Установка для исследования ползучести алмазоподобных полупроводников при комнатной температуре ВА Надточий, НК Нечволод, АП Тихонов Заводская лаборатория 40 (I), 112, 1974 | 4 | 1974 |
| HARDENING OF CRYSTALLINE BODIES BY STEPPED LOW-TEMPERATURE CREEP IA Gindin, VM Godzhaev, NECHVOLO. NK, STARODUB. YD DOKLADY AKADEMII NAUK SSSR 174 (1), 73-&, 1967 | 4 | 1967 |
| Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer V Nadtochiy, N Golodenko, N Nechvolod Functional Materials, 2005 | 3 | 2005 |
| Влияние ультразвукового облучения на область действия механизма истощения дислокаций в процессе ступенчатой ползучести монокристаллов ИА Гиндин, ГМ Малик, КМ Нечволод Укр. физ. журн 13 (11), 1823, 1968 | 3 | 1968 |
| Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации АИ Уколов, ВА Надточий, НК Нечволод Физика и техника высоких давлений, 2013 | 2 | 2013 |
| Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии ВА Надточий Физика и техника высоких давлений, 54-62, 2012 | 2 | 2012 |
| Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов ВА Надточий, НК Нечволод, ДС Москаль Физика и техника высоких давлений, 2004 | 2 | 2004 |
| Влияние ступенчатой низкотемпературной ползучести на электросопротивление и механические свойства меди ИА Гиндин, НК Нечволод, ЯД Стародубов Физика металлов и металловед 26 (4), 688-695, 1968 | 2 | 1968 |
| Структурные изменения в зоне действия лазерного луча в монокристаллическом германии ВА Надточий, ВП Алехин, НК Нечволод, НН Голоденко, ДС Москаль Физика и химия обработки материалов, 9-12, 2003 | 1 | 2003 |
| Влияние термоциклирования на ступенчатую ползучесть монокристаллов LiF при 300 К в области действия механизма истощения дислокаций НК Нечволод, АЯ Белошапка, ВЯ Белошапка, ВС Романуша, ... Укр. физ. журн 21 (12), 2052-2054, 1976 | 1 | 1976 |
Віктор Олексійович НадточійДВНЗ "Донбаський державний педагогічний університет" (Donbas State Pedagogical University)Подтвержден адрес электронной почты в домене ddpu.edu.ua
