| Mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density AV Sachenko, AE Belyaev, NS Boltovets, RV Konakova, YY Kudryk, ... Journal of applied physics 111 (8), 083701, 2012 | 50 | 2012 |
| Temperature dependence of the contact resistance of ohmic contacts to III–V compounds with a high dislocation density AV Sachenko, AE Belyaev, AV Bobyl, NS Boltovets, VN Ivanov, ... Semiconductors 46, 334-341, 2012 | 17 | 2012 |
| Застосування відкритих систем ідентифікування ORCID та PUBLONS для розвитку інформаційно-дослідницької компетентності наукових і науково-педагогічних працівників Т Новицька, С Новицький Modern Information Technologies and Innovation Methodologies of Education in …, 2020 | 8 | 2020 |
| Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP (GaAs, GaN) АЕ Беляев, НС Болтовец, ВН Иванов, РВ Конакова, ЯЯ Кудрик, ... Известия вузов. Физика, 74-77, 2011 | 7 | 2011 |
| Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций АВ Саченко, АЕ Беляев, АВ Бобыль, НС Болтовец, ВН Иванов, ... Физика и техника полупроводников 46 (3), 348-355, 2012 | 6 | 2012 |
| Nanocrystalline SiC film thermistors for cryogenic applications VF Mitin, VV Kholevchuk, AV Semenov, AA Kozlovskii, NS Boltovets, ... Review of Scientific Instruments 89 (2), 2018 | 5 | 2018 |
| The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range AV Sachenko, AE Belyaev, NS Boltovets, RV Konakova, SA Vitusevich, ... Technical Physics Letters 42, 649-651, 2016 | 5 | 2016 |
| Методологические аспекты измерения удельного контактного сопротивления TLM методом с радиальной геометрией контактов СВ Новицкий Издательский центр БГУ, 2012 | 5 | 2012 |
| Загальні підходи до оцінювання результативності педагогічних досліджень з використанням інформаційно-цифрових технологій С Новицький Modern Information Technologies and Innovation Methodologies of Education in …, 2021 | 4 | 2021 |
| Платформа Publons як засіб розвитку наукової діяльності ТЛ Новицька, СВ Новицький Побудова інформаційного суспільства: ресурси і технології: матеріали XVIІІ …, 2019 | 4 | 2019 |
| Effect of microwave irradiation on the resistance of Au-TiB x -Ge-Au-n-n +-n ++-GaAs(InP) ohmic contacts AE Belyaev, AV Sachenko, NS Boltovets, VN Ivanov, RV Konakova, ... Semiconductors 46, 541-544, 2012 | 4 | 2012 |
| Омические контакты к фосфиду индия СВ Новицкий Петербургский журнал электроники, 24-40, 2012 | 4 | 2012 |
| Нитриды галлия, индия и алюминия. Структуры и приборы АВ Саченко, АЕ Беляев, НС Болтовец, РВ Конакова, ЯЯ Кудрик, ... Тезисы докладов, 229, 2011 | 4 | 2011 |
| Conductivity inversion of methyl viologen-modified random networks of single-walled carbon nanotubes A Przewłoka, A Rehman, S Smirnov, E Karpierz-Marczewska, ... Carbon 202, 214-220, 2023 | 2 | 2023 |
| Сучасні тенденції цифрової трансформації освіти ТЛ Новицька, СВ Новицький ТНПУ ім. В. Гнатюка, 2021 | 2 | 2021 |
| Зміст спецкурсу «Використання сервісів наукової електронної бібліотеки» СМ Іванова, ТЛ Новицька, СВ Новицький Інститут інформаційних технологій і засобів навчання НАПН України, 2020 | 2 | 2020 |
| Класифікація систем ідентифікування за методологічним підходом ТЛ Новицька, СВ Новицький Наукова молодь-2019, 84-86, 2019 | 2 | 2019 |
| Radiation effects and interphase interactions in ohmic and barrier contacts to indium phosphide as induced by rapid thermal annealing and irradiation with γ-ray 60 Co photons AE Belyaev, NS Boltovets, AV Bobyl, VN Ivanov, LM Kapitanchuk, ... Semiconductors 44, 1559-1566, 2010 | 2 | 2010 |
| Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах НС Болтовец, ВН Иванов, ВМ Ковтонюк, НС Раевская, АЕ Беляев, ... Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 3-6, 2010 | 2 | 2010 |
| Измерение удельного контактного сопротивления TLM-методом с линейной и радиальной геометрией контактов СВ Новицкий Петербургский журнал электроники, 59-64, 2013 | 1 | 2013 |
Belyaev A.E.Institute of semiconductor physicsПідтверджена електронна адреса в isp.kiev.ua
