Andrian V. Kuchuk

Процитировано

	Все	Начиная с 2016 г.
Статистика цитирования	972	558
h-индекс	17	12
i10-индекс	35	15

140

105

200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202118 9 19 21 39 46 51 57 60 74 104 95 123 112 118 6

Соавторы

Vasyl P. Kladko, V.P. Klad'ko, V. Kladk...Corresponding Member of NAS of Ukraine, Professor, Institute of Semiconductors Physics NAS ofПодтвержден адрес электронной почты в домене isp.kiev.ua
Belyaev A.E.Institute of semiconductor physicsПодтвержден адрес электронной почты в домене isp.kiev.ua
Gregory SalamoProfessor of Physics, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Morgan E. WareUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Y. Mazur, Yuriy Mazur, Yu. I. Mazur, Yu...Institute for Nanoscience and Engineering, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
P M Lytvyn, P M Litvin, П М ЛитвинSenior Researcher, V.Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS UkraineПодтвержден адрес электронной почты в домене isp.kiev.ua
Renata RatajczakNational Centre for Nuclear Resarch (NCBJ)Подтвержден адрес электронной почты в домене ncbj.gov.pl
Shui-Qing (Fisher) YuUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Mourad BenamaraInstitute for Nanoscience & Engineering, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Volodymyr SheremetBilkent UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bilkent.edu.tr
Lytvyn Oksana, Литвин ОксанаКиївський університет імені Бориса ГрінченкаПодтвержден адрес электронной почты в домене kubg.edu.ua
Олександр Коломис; O F Kolomys; A...Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН УкраїниПодтвержден адрес электронной почты в домене isp.kiev.ua
Wei DuAssistant Professor, Department of Electrical Engineering and Physics, Wilkes UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене wilkes.edu
Roman MinikayevInstitute of Physics PAS, Warsaw Подтвержден адрес электронной почты в домене ifpan.edu.pl
Larysa KhomenkovaV. Lashkaryov Institute of semiconductor physics of NASUПодтвержден адрес электронной почты в домене isp.kiev.ua
Eric DeCuir JrU.S. Army Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.mil
Richard A. SorefResearch Professor of Engineering, The University of Massachusetts at BostonПодтвержден адрес электронной почты в домене rcn.com
Greg SunProfessor and Founding Chair of Engineering Department, UMass BostonПодтвержден адрес электронной почты в домене umb.edu
M. O. ManasrehU of AПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Aboozar MoslehAssistant Professor of Nanoscience, University of Arkansas at Pine BluffПодтвержден адрес электронной почты в домене uapb.edu

Andrian V. Kuchuk

Institute for Nanoscience & Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, USA

Подтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu

Materials science X-ray diffraction Nanostructures Nanotechnology


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Low-temperature method for thermochromic high ordered VO2 phase formation V Melnik, I Khatsevych, V Kladko, A Kuchuk, V Nikirin, B Romanyuk Materials Letters 68, 215-217, 2012	59	2012
Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices V Kladko, A Kuchuk, P Lytvyn, O Yefanov, N Safriuk, A Belyaev, YI Mazur, ... Nanoscale research letters 7 (1), 1-9, 2012	38	2012
Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics SA Ghetmiri, Y Zhou, J Margetis, S Al-Kabi, W Dou, A Mosleh, W Du, ... Optics letters 42 (3), 387-390, 2017	35	2017
Long-term stability of Ni–silicide ohmic contact to n-type 4H–SiC AV Kuchuk, M Guziewicz, R Ratajczak, M Wzorek, VP Kladko, ... Microelectronic Engineering 85 (10), 2142-2145, 2008	35	2008
Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride AE Belyaev, NS Boltovets, VN Ivanov, VP Klad’ko, RV Konakova, ... Semiconductors 42 (6), 689-693, 2008	34*	2008
Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H silicon carbide A Kuchuk, V Kladko, M Guziewicz, A Piotrowska, R Minikayev, A Stonert, ... Journal of Physics: Conference Series 100 (4), 042003, 2008	34	2008
Ni-based ohmic contacts to n-type 4H-SiC: The formation mechanism and thermal stability AV Kuchuk, P Borowicz, M Wzorek, M Borysiewicz, R Ratajczak, ... Advances in Condensed Matter Physics 2016, 2016	31	2016
Effect of p-n junction overheating on degradation of silicon high-power pulsed IMPATT diodes AE Belyaev, VV Basanets, NS Boltovets, AV Zorenko, LM Kapitanchuk, ... Semiconductors 45 (2), 253-259, 2011	29*	2011
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si (111) and Al₂O₃ (0001) substrates NV Safriuk, GV Stanchu, AV Kuchuk, VP Kladko, AE Belyaev, ... Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics, 2013	23	2013
High-resolution X-ray diffraction analysis of strain distribution in GaN nanowires on Si (111) substrate H Stanchu, V Kladko, AV Kuchuk, N Safriuk, A Belyaev, A Wierzbicka, ... Nanoscale research letters 10 (1), 51, 2015	22	2015
Thermal degradation of Au/Ni2Si/n-SiC ohmic contacts under different conditions AV Kuchuk, M Guziewicz, R Ratajczak, M Wzorek, VP Kladko, ... Materials Science and Engineering: B 165 (1-2), 38-41, 2009	22	2009
Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures VP Kladko, AV Kuchuk, NV Safryuk, VF Machulin, AE Belyaev, ... Applied physics letters 95 (3), 031907, 2009	21	2009
On the formation of Ni-based ohmic contacts to n-type 4H-SiC AV Kuchuk, VP Kladko, A Piotrowska, R Ratajczak, R Jakieła Materials Science Forum 615, 573-576, 2009	19	2009
Amorphous Ta–Si–N diffusion barriers on GaAs A Kuchuk, E Kaminska, A Piotrowska, K Golaszewska, E Dynowska, ... Thin Solid Films 459 (1-2), 292-296, 2004	19	2004
Problemy diahnostyky real'nykh napivprovidnykovykh krystaliv (Problems of Real Semiconductor Crystals Diagnostics) PI Barans' kyy, OY Byelyayev, GP Gaidar, VP Klad'ko, AV Kuchuk Naukova dumka, Kyiv, 2014	18	2014
Nanoscale Electrostructural Characterization of Compositionally Graded Al_xGa_1–xN Heterostructures on GaN/Sapphire (0001) Substrate AV Kuchuk, PM Lytvyn, C Li, HV Stanchu, YI Mazur, ME Ware, ... ACS applied materials & interfaces 7 (41), 23320-23327, 2015	17	2015
Structural transformation and functional properties of vanadium oxide films after low-temperature annealing Y Goltvyanskyi, I Khatsevych, A Kuchuk, V Kladko, V Melnik, P Lytvyn, ... Thin Solid Films 564, 179-185, 2014	17	2014
Mechanism of strain-influenced quantum well thickness reduction in GaN/AlN short-period superlattices AV Kuchuk, VP Kladko, TL Petrenko, VP Bryksa, AE Belyaev, YI Mazur, ... Nanotechnology 25 (24), 245602, 2014	17	2014
Structural and optical characteristics of GeSn quantum wells for silicon-based mid-infrared optoelectronic applications W Dou, SA Ghetmiri, S Al-Kabi, A Mosleh, Y Zhou, B Alharthi, W Du, ... Journal of Electronic Materials 45 (12), 6265-6272, 2016	16	2016
Direct bandgap type-I GeSn/GeSn quantum well on a GeSn-and Ge-buffered Si substrate PC Grant, J Margetis, Y Zhou, W Dou, G Abernathy, A Kuchuk, W Du, B Li, ... AIP Advances 8 (2), 025104, 2018	15	2018

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Загрузка файла PDF

Подписка на новые статьи этого автора

Процитировано

Соавторы