Andrian Kuchuk, A. Kuchuk, A.V. Kuchuk, Andrian V Kuchuk, Кучук А.В. - Бібліографічні посилання Google Академія

Посилання

	Усі	З 2015
Бібліографічні посилання	829	500
h-індекс	15	11
i10-індекс	30	15

120

20062007200820092010201120122013201420152016201720182019202018 9 19 19 37 46 48 58 57 67 103 92 117 116 5

Співавтори

Vasyl P. Kladko, V.P. Klad'ko, V. Kladk...Corresponding Member of NAS of Ukraine, Professor, Institute of Semiconductors Physics NAS ofПідтверджена електронна адреса в isp.kiev.ua
Belyaev A.E.Institute of semiconductor physicsПідтверджена електронна адреса в isp.kiev.ua
Gregory SalamoProfessor of Physics, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Morgan E. WareUniversity of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
P M Lytvyn, P M Litvin, П М ЛитвинSenior Researcher, V.Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS UkraineПідтверджена електронна адреса в isp.kiev.ua
Renata RatajczakNational Centre for Nuclear Resarch (NCBJ)Підтверджена електронна адреса в ncbj.gov.pl
Y. Mazur, Yuriy Mazur, Yu. I. Mazur, Yu...Institute for Nanoscience and Engineering, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Volodymyr SheremetBilkent UniversityПідтверджена електронна адреса в bilkent.edu.tr
O.S. Lytvyn, Litvin, О.С. ЛитвинКиївський університет імені Бориса ГрінченкаПідтверджена електронна адреса в kubg.edu.ua
Олександр Коломис; O F Kolomys; A...Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН УкраїниПідтверджена електронна адреса в isp.kiev.ua
Mourad BenamaraInstitute for Nanoscience & Engineering, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Shui-Qing (Fisher) YuUniversity of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Roman MinikayevInstitute of Physics PAS, Warsaw Підтверджена електронна адреса в ifpan.edu.pl
Joe Margetis, PhDASM, AmericaПідтверджена електронна адреса в asu.edu
Larysa KhomenkovaInstitute of semiconductor physics of NASUПідтверджена електронна адреса в isp.kiev.ua
Wei DuAssistant Professor, Department of Electrical Engineering and Physics, Wilkes UniversityПідтверджена електронна адреса в wilkes.edu
Eric DeCuir JrU.S. Army Research LaboratoryПідтверджена електронна адреса в mail.mil
Richard A. SorefResearch Professor of Engineering, The University of Massachusetts at BostonПідтверджена електронна адреса в rcn.com
G. SunProfessor of Electrical Engineering, UMass BostonПідтверджена електронна адреса в umb.edu
M. O. ManasrehU of AПідтверджена електронна адреса в uark.edu

Andrian Kuchuk, A. Kuchuk, A.V. Kuchuk, Andrian V Kuchuk, Кучук А.В.

Institute for Nanoscience & Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, USA

Підтверджена електронна адреса в uark.edu

Materials science X-ray diffraction Nanostructures Nanotechnology


Назва	Посилання	Рік
Low-temperature method for thermochromic high ordered VO2 phase formation V Melnik, I Khatsevych, V Kladko, A Kuchuk, V Nikirin, B Romanyuk Materials Letters 68, 215-217, 2012	56	2012
Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN short-period superlattices V Kladko, A Kuchuk, P Lytvyn, O Yefanov, N Safriuk, A Belyaev, YI Mazur, ... Nanoscale research letters 7 (1), 1-9, 2012	37	2012
Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H silicon carbide A Kuchuk, V Kladko, M Guziewicz, A Piotrowska, R Minikayev, A Stonert, ... Journal of Physics: Conference Series 100 (4), 042003, 2008	35	2008
Long-term stability of Ni–silicide ohmic contact to n-type 4H–SiC AV Kuchuk, M Guziewicz, R Ratajczak, M Wzorek, VP Kladko, ... Microelectronic Engineering 85 (10), 2142-2145, 2008	33	2008
Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride AE Belyaev, NS Boltovets, VN Ivanov, VP Klad’ko, RV Konakova, ... Semiconductors 42 (6), 689-693, 2008	31*	2008
Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics SA Ghetmiri, Y Zhou, J Margetis, S Al-Kabi, W Dou, A Mosleh, W Du, ... Optics letters 42 (3), 387-390, 2017	30	2017
Effect of p-n junction overheating on degradation of silicon high-power pulsed IMPATT diodes AE Belyaev, VV Basanets, NS Boltovets, AV Zorenko, LM Kapitanchuk, ... Semiconductors 45 (2), 253-259, 2011	25*	2011
Ni-based ohmic contacts to n-type 4H-SiC: The formation mechanism and thermal stability AV Kuchuk, P Borowicz, M Wzorek, M Borysiewicz, R Ratajczak, ... Advances in Condensed Matter Physics 2016, 2016	24	2016
Thermal degradation of Au/Ni2Si/n-SiC ohmic contacts under different conditions AV Kuchuk, M Guziewicz, R Ratajczak, M Wzorek, VP Kladko, ... Materials Science and Engineering: B 165 (1-2), 38-41, 2009	22	2009
Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures VP Kladko, AV Kuchuk, NV Safryuk, VF Machulin, AE Belyaev, ... Applied physics letters 95 (3), 031907, 2009	21	2009
Amorphous Ta–Si–N diffusion barriers on GaAs A Kuchuk, E Kaminska, A Piotrowska, K Golaszewska, E Dynowska, ... Thin Solid Films 459 (1-2), 292-296, 2004	19	2004
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si (111) and Al₂O₃ (0001) substrates NV Safriuk, GV Stanchu, AV Kuchuk, VP Kladko, AE Belyaev, ... Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics, 2013	18	2013
On the formation of Ni-based ohmic contacts to n-type 4H-SiC AV Kuchuk, VP Kladko, A Piotrowska, R Ratajczak, R Jakieła Materials Science Forum 615, 573-576, 2009	18	2009
Mechanism of strain-influenced quantum well thickness reduction in GaN/AlN short-period superlattices AV Kuchuk, VP Kladko, TL Petrenko, VP Bryksa, AE Belyaev, YI Mazur, ... Nanotechnology 25 (24), 245602, 2014	16	2014
Structural transformation and functional properties of vanadium oxide films after low-temperature annealing Y Goltvyanskyi, I Khatsevych, A Kuchuk, V Kladko, V Melnik, P Lytvyn, ... Thin Solid Films 564, 179-185, 2014	15	2014
TEM characterisation of silicide phase formation in Ni-based ohmic contacts to 4H n-SiC M Wzorek, A Czerwinski, A Kuchuk, J Ratajczak, A Piotrowska, J Katcki Materials transactions 52 (3), 315-318, 2011	15	2011
Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE, an x-ray study VP Kladko, AV Kuchuk, NV Safryuk, VF Machulin, PM Lytvyn, ... Journal of Physics D: Applied Physics 44 (2), 025403, 2010	14	2010
Structural and optical characteristics of GeSn quantum wells for silicon-based mid-infrared optoelectronic applications W Dou, SA Ghetmiri, S Al-Kabi, A Mosleh, Y Zhou, B Alharthi, W Du, ... Journal of Electronic Materials 45 (12), 6265-6272, 2016	13	2016
Nanoscale Electrostructural Characterization of Compositionally Graded Al_xGa_1–xN Heterostructures on GaN/Sapphire (0001) Substrate AV Kuchuk, PM Lytvyn, C Li, HV Stanchu, YI Mazur, ME Ware, ... ACS applied materials & interfaces 7 (41), 23320-23327, 2015	13	2015
Nanostructured Y‐doped ZrO₂ powder: peculiarities of light emission under electron beam excitation N Korsunska, V Papusha, O Kolomys, V Strelchuk, A Kuchuk, V Kladko, ... physica status solidi (c) 11 (9‐10), 1417-1422, 2014	13	2014

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Завантажити файл PDF

Підписатися на оновлення цього автора

Посилання

Співавтори