| Влияние профиля легирования на пробивные напряжения коллекторного перехода в планарных n− p− n-транзисторах НА Самойлов, АН Фролов, СВ Шутов Журнал технической физики 68 (10), 136-137, 1998 | 2 | 1998 |
| Development of diode temperature sensors with operating range up to 750 K V Krasnov, S Yerochin, O Demenskyi, G Krapyvko Восточно-Европейский журнал передовых технологий, 19-25, 2018 | | 2018 |
| Разработка электропривода технологического оборудования с высокоточными скоростными параметрами СР Селиверстова, АН Фролов Вестник Херсонского национального технического университета, 199-205, 2018 | | 2018 |
| Применение пористого анодного окисла кремния в производстве полупроводниковых приборов А Фролов, ГИ Крапивко, АИ Марончук, НА Самойлов Биомедицинская инженерия и электроника, 3-3, 2017 | | 2017 |
| Спектральная зависимость коэффициента пропускания системы ITO-стекло от технологических режимов нанесения слоя Ito на поверхность стекла НА Самойлов, АН Деменский, ВН Литвиненко, АН Фролов Биомедицинская инженерия и электроника, 78-83, 2014 | | 2014 |
| Расчет параметров дрейфовых npn транзисторов по выходным характеристикам АН Фролов, КА Фролов, ЕА Баганов Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка 52 (9), 10-17, 2009 | | 2009 |
| Напряжения лавинного пробоя n− p− n-транзисторов И2Л элементов СВ Шутов, АН Фролов, АА Фролов Журнал технической физики 74 (2), 128-129, 2004 | | 2004 |
| Определение толщины базы вертикальных n− p− n-транзисторов И2Л элементов по напряжению „прокола “базы СВ Шутов, АН Фролов, ВН Литвиненко, АА Фролов Журнал технической физики 74 (2), 2004 | | 2004 |
| Оперативная оценка удельного сопротивления коллектора и глубины залегания коллекторного перехода при проектировании биполярных p− n− p-транзисторов АН Фролов, СВ Шутов Журнал технической физики 68 (8), 139-140, 1998 | | 1998 |
