Олексій Генкін А.М. Генкин A.M. Genkin
Олексій Генкін А.М. Генкин A.M. Genkin
Підтверджена електронна адреса в kpi.ua - Домашня сторінка
НазваПосиланняРік
Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя
АМ Генкин, ВК Генкина, ЛП Гермаш
Журнал технической физики 69 (10), 69-76, 1999
91999
Влияние длительной работы при максимальной токовой нагрузке на характеристики карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя
МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, СА Станкевич
Журнал технической физики 67 (1), 130-132, 1997
71997
Effect of continuous operation at maximum current load on the characteristics of SiC LEDs operating in the mode of electrical breakdown
MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich
Technical Physics 67 (1), 130-132, 1997
51997
Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния
МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина
Физика и техника полупроводников 33 (6), 727-732, 1999
41999
О предпробойном излучении в SiC-15R
ЮМ Алтайский, АМ Генкин
Техника средств связи. Сер. Общетехн., 37-40, 1982
4*1982
HIGHLY STABLE PHOTO-DIODE ON THE BASIS OF SILICON-CARBIDE
YM Altaiskii, AM Genkin
ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI 52 (3), 543-545, 1982
41982
О спектрах предпробойной электролюминесценции в карбиде кремния политипа 6Н
ЮМ Алтайский, АМ Генкин
Физика и техника полупроводников 14 (7), 1397-1399, 1980
41980
Елементи і системи поляризаційних приладів для космічних досліджень
МД Гераїмчук, ОМ Генкін, ОВ Івахів, ЮП Куреньов, ОВ Мороженко, ...
Київ: ЕКМО, 2009
32009
Oscillatory structure in radiation spectra of individual microplasmas in silicon carbide p-n-junctions
AM Genkin, VK Genkina, LP Germash, SM Zubkova
European Physical Journal Applied Physics 33 (3), 161-166, 2006
32006
Кинетика пробойной электролюминесценции в p-n-переходах на карбиде кремния
АМ Генкин, ВК Генкина, ЛП Гермаш
Журнал технической физики 70 (4), 52-55, 2000
3*2000
О спектрах пробойной электролюминесценции р-n-структур на карбиде кремния
МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, ОА Гусева
Физика и техника полупроводников 31 (2), 213-217, 1997
3*1997
Breakdown electroluminescence spectra of silicon carbide p-n junctions
MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, OA Guseva
Semiconductors 31 (2), 169-172, 1997
31997
Широкополосный светодиод с малой площадью излучения
ЮМ Алтайский, СФ Авраменко, АМ Генкин, ВК Генкина, ВС Киселев, ...
Приборы и техника эксперимента, 245, 1986
31986
PRE-BREAKDOWN VIOLET LUMINESCENCE EMITTED BY CUBIC SILICON-CARBIDE
AM Genkin, VN Rodionov
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 13 (4), 463-464, 1979
31979
Reference LED source of subnanosecond pulses of broadband optical radiation
S Voronov, O Genkin, V Genkina, V Rodionov, R Romaniuk, P Kisała, ...
Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High …, 2017
22017
Influence of prolonged operation at the maximum current load on the characteristics of silicon carbide light-emitting diodes operating in an electrical breakdown regime
MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich
Zh. Tekh. Fiz. 67 (1), 115-117, 1997
21997
Широкосмугові еталонні випромінювачі для УФ-області на основі карбіду кремнію
ОМ Генкін, ВК Генкіна, МД Гераїмчук, ЛП Гермаш, ПВ Неводовський
Наукові вісті НТУУ «КПІ, 20-26, 2008
12008
Kinetics of breakdown electroluminescence in silicon carbide p-n structures
AM Genkin, VK Genkina, LP Germash
Technical Physics 45 (4), 432-435, 2000
12000
Effect of prolonged operation and temperature on the spectra of silicon carbide lightemitting diodes operating in an electric breakdown regime
AM Genkin, VK Genkina, LP Germash
Technical Physics 44 (10), 1191-1197, 1999
11999
Influence of temperature on the spectral composition of the breakdown electroluminescence of silicon carbide p-n structures
MV Belous, AM Genkin, VK Genkina
Semiconductors 33 (6), 672-676, 1998
11998
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20