Підписатись
Олексій Генкін А.М. Генкин A.M. Genkin
Олексій Генкін А.М. Генкин A.M. Genkin
Підтверджена електронна адреса в kpi.ua - Домашня сторінка
Назва
Посилання
Посилання
Рік
Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя
АМ Генкин, ВК Генкина, ЛП Гермаш
Журнал технической физики 69 (10), 69-76, 1999
91999
Влияние длительной работы при максимальной токовой нагрузке на характеристики карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя
МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, СА Станкевич
Журнал технической физики 67 (1), 130-132, 1997
81997
Кинетика пробойной электролюминесценции в p-n-переходах на карбиде кремния
АМ Генкин, ВК Генкина, ЛП Гермаш
Журнал технической физики 70 (4), 52-55, 2000
5*2000
Пробойная электролюминесценция светодиодов на базе карбида кремния
ЮМ Алтайский, АМ Генкин, ВК Генкина, ЛГ Огнева
Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, 76-78, 1987
5*1987
Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния
МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина
Физика и техника полупроводников 33 (6), 727-732, 1999
41999
Effect of continuous operation at maximum current load on the characteristics of SiC LEDs operating in the electrical breakdown mode
MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich
J. Technical Physics 67 (1), 130-132, 1997
41997
О спектрах пробойной электролюминесценции р-n-структур на карбиде кремния
МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, ОА Гусева
Физика и техника полупроводников 31 (2), 213-217, 1997
4*1997
Широкополосный светодиод с малой площадью излучения
ЮМ Алтайский, СФ Авраменко, АМ Генкин, ВК Генкина, ВС Киселев, ...
Приборы и техника эксперимента, 245, 1986
41986
HIGHLY STABLE PHOTO-DIODE ON THE BASIS OF SILICON-CARBIDE
YM Altaiskii, AM Genkin
ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI 52 (3), 543-545, 1982
41982
Елементи і системи поляризаційних приладів для космічних досліджень
МД Гераїмчук, ОМ Генкін, ОВ Івахів, ЮП Куреньов, ОВ Мороженко, ...
Київ: ЕКМО, 2009
32009
Oscillatory structure in radiation spectra of individual microplasmas in silicon carbide p-n-junctions
AM Genkin, VK Genkina, LP Germash, SM Zubkova
European Physical Journal Applied Physics 33 (3), 161-166, 2006
32006
О предпробойном излучении в SiC-15R
ЮМ Алтайский, АМ Генкин
Техника средств связи. Сер. Общетехн., 37-40, 1982
3*1982
О спектрах предпробойной электролюминесценции в карбиде кремния политипа 6Н
ЮМ Алтайский, АМ Генкин
Физика и техника полупроводников 14 (7), 1397-1399, 1980
31980
PRE-BREAKDOWN VIOLET LUMINESCENCE EMITTED BY CUBIC SILICON-CARBIDE
AM Genkin, VN Rodionov
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 13 (4), 463-464, 1979
31979
Предпробойное фиолетовое излучение в карбиде кремния кубической модификации
АМ Генкин, ВН Родионов
Физика и техника полупроводников 13 (4), 789-791, 1979
31979
Reference LED source of subnanosecond pulses of broadband optical radiation
S Voronov, O Genkin, V Genkina, V Rodionov, R Romaniuk, P Kisała, ...
Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High …, 2017
22017
Breakdown electroluminescence spectra of silicon carbide p-n junctions
MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, OA Guseva
Semiconductors 31 (2), 169-172, 1997
21997
Influence of prolonged operation at the maximum current load on the characteristics of silicon carbide light-emitting diodes operating in an electrical breakdown regime
MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich
Zh. Tekh. Fiz. 67 (1), 115-117, 1997
21997
Electrical properties of highly nitrogen doped 6H SiC monocrystals: microwave cavity perturbation study
ENK D.V. Savchenko, D.M. Yatsyk, O.M. Genkin, Yu.F. Nosachov, O.V. Drozdenko ...
SPQEO 26, 030-035, 2023
1*2023
Radiation polarization of silicon carbide p-n-structures, operating in electrical breakdown regime
AM Genkin, VK Genkina, SM Zubkova
European Physical Journal Applied Physics 70 (2), 20103, 2015
12015
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20