IV Prokopenko, ИВ Прокопенко
IV Prokopenko, ИВ Прокопенко
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS Ukraine, Институт физики полупроводников НАНУ
Подтвержден адрес электронной почты в домене isp.kiev.ua - Главная страница
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС
ОА Агеев, АЕ Беляев, НС Болтовец, РВ Конакова, ВВ Миленин, ...
Харьков: НТК «Институт монокристаллов, 2008
332008
Wire-like submicron crystal as a natural heterostructure
AI Klimovskaya, IV Prokopenko, IP Ostrovskii
Journal of Physics: Condensed Matter 13 (26), 5923, 2001
272001
Инжекционно-контактные явления в полупроводниках
АН Зюганов, СВ Свечников
Киев: Наукова думка 256, 1981
251981
Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures
AE Belyaev, EF Venger, IB Ermolovich, RV Konakova, PM Lytvyn, ...
Kiev. Intas, 2002
232002
Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparison of results obtained from three-crystal diffractometry
VP Kladko, LI Datsenko, J Bak-Misiuk, SI Olikhovskii, VF Machulin, ...
Journal of Physics D: Applied Physics 34 (10A), A87, 2001
232001
Radiation resistance of GaAsbased microwave Schottky-barrier devices
AE Belyaev, J Breza, EF Venger, M Vesely, IY Il’in, RV Konakova, J Liday, ...
Interpres LTD, Kyiv, 1998
231998
CdSe nanoparticles grown with different chelates
YY Bacherikov, MO Davydenko, AM Dmytruk, IM Dmitruk, PM Lytvyn, ...
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006
222006
Дифрактометрия наноразмерных дефектов и гетерослоев кристаллов
ВБ Молодкин, АИ Низкова, АП Шпак, ВФ Мачулин, ВП Клочков, ...
Академпериодика, 2005
222005
Luminescent ZnS: Cu films prepared by chemical methods
SV Svechnikov, LV Zav’yalova, NN Roshchina, VE Rodionov, ...
Semiconductors 34 (10), 1128-1132, 2000
212000
Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение (обзор)
СВ Свечников, АВ Саченко, ГА Сукач, АМ Евстигнеев, ЭБ Каганович
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 3-29, 1994
211994
Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике
СВ Свечников, ВВ Химинец, НИ Довгошей
Киев, Наукова думка, 1992
201992
Two-dimensional ordering of (In,Ga)As quantum dots in vertical multilayers grown on GaAs(100) and
PM Lytvyn, VV Strelchuk, OF Kolomys, IV Prokopenko, MY Valakh, ...
Applied Physics Letters 91 (17), 173118, 2007
192007
Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл-InP и металл-GaAs
ЕФ Венгер, РВ Конакова, ГС Коротченков, ВВ Миленин, ЭВ Руссу, ...
Киев: Изд-во НАН Украины, 1999
191999
Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур
АА Беляев, АЕ Беляев, ИБ Ермолович, СМ Комиренко, РВ Конакова, ...
Журнал технической физики 68 (12), 49-53, 1998
171998
The structure, composition, and chemical state of the surface of wire-like silicon nanocrystal grown by self-organization technology
AI Klimovskaya, IV Prokopenko, SV Svechnikov, TG Cherneta, ...
Journal of Physics: Condensed Matter 14 (8), 1735, 2002
162002
Поляризационно-модуляционная спектроскопия поверхностного плазмонного резонанса
ЛИ Бережинский, ЛС Максименко, ИЕ Матяш, СП Руденко, ...
Оптика и спектроскопия 105 (2), 281-289, 2008
152008
Peculiarities of the PbTe nano-islet formation on BaF₂ substrate at" hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy
TI Sheremeta, IV Prokopenko, PM Lytvyn, OS Lytvyn, VM Vodopyanov, ...
Functional materials, 2007
152007
Эффекты радиационного упорядочения в слоистых структурах на основе соединений А3В5
ОЮ Борковская, НЛ Дмитрук, РВ Конакова, ВГ Литовченко, ЮА Тхорик, ...
Киев: ИФАН УССР, 1986
131986
Межфазные взаимодействия и особенности структурной релаксации в контактах TiBx− n-GaAs (InP, GaP, 6H-SiC), подвергнутых активным обработкам
НС Болтовец, ВН Иванов, РВ Конакова, ЯЯ Кудрик, ОС Литвин, ...
Физика и техника полупроводников 38 (7), 769-774, 2004
122004
Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n− n+-GaAs (M= Pt, Cr, W)
ИБ Ермолович, ВВ Миленин, РВ Конакова, ЛН Применко, ...
Физика и техника полупроводников 31 (4), 503-508, 1997
121997
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20