IV Prokopenko, ИВ Прокопенко
IV Prokopenko, ИВ Прокопенко
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS Ukraine, Институт физики полупроводников НАНУ
Підтверджена електронна адреса в isp.kiev.ua - Домашня сторінка
НазваПосиланняРік
Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС
ОА Агеев, АЕ Беляев, НС Болтовец, РВ Конакова, ВВ Миленин, ...
Харьков: НТК «Институт монокристаллов, 2008
332008
Инжекционно-контактные явления в полупроводниках
АН Зюганов, СВ Свечников
Киев: Наукова думка 256, 1981
231981
Дифрактометрия наноразмерных дефектов и гетерослоев кристаллов
ВБ Молодкин, АИ Низкова, АП Шпак, ВФ Мачулин, ВП Кладько, ...
Киев: Академпериодика, 2005
222005
Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparison of results obtained from three-crystal diffractometry
VP Kladko, LI Datsenko, J Bak-Misiuk, SI Olikhovskii, VF Machulin, ...
Journal of Physics D: Applied Physics 34 (10A), A87, 2001
222001
CdSe nanoparticles grown with different chelates
YY Bacherikov, MO Davydenko, AM Dmytruk, IM Dmitruk, PM Lytvyn, ...
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006
212006
Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures
AE Belyaev, EF Venger, IB Ermolovich, RV Konakova, PM Lytvyn, ...
Kiev: Intas 192, 2002
212002
Wire-like submicron crystal as a natural heterostructure
AI Klimovskaya, IV Prokopenko, IP Ostrovskii
Journal of Physics: Condensed Matter 13 (26), 5923, 2001
212001
Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение (обзор)
СВ Свечников, АВ Саченко, ГА Сукач, АМ Евстигнеев, ЭБ Каганович
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 3-29, 1994
211994
Two-dimensional ordering of (In,Ga)As quantum dots in vertical multilayers grown on GaAs(100) and
PM Lytvyn, VV Strelchuk, OF Kolomys, IV Prokopenko, MY Valakh, ...
Applied Physics Letters 91 (17), 173118, 2007
192007
Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике
СВ Свечников, ВВ Химинец, НИ Довгошей
Киев, Наукова дум-ка, 1992
191992
Luminescent ZnS: Cu films prepared by chemical methods
SV Svechnikov, LV Zav’yalova, NN Roshchina, VE Rodionov, ...
Semiconductors 34 (10), 1128-1132, 2000
162000
Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл-InP и металл-GaAs
ЕФ Венгер, РВ Конакова, ГС Коротченков, ВВ Миленин, ЭВ Руссу, ...
Киев: ИФП НАНУ, 1999
161999
Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices
AE Belyaev, J Breza, EF Venger, M Vesely, IY Il’in, RV Konakova, J Liday, ...
" Iнтерпрес лтд", 1998
161998
Поляризационно-модуляционная спектроскопия поверхностного плазмонного резонанса
ЛИ Бережинский, ЛС Максименко, ИЕ Матяш, СП Руденко, ...
Оптика и спектроскопия 105 (2), 281-289, 2008
152008
Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур
АА Беляев, АЕ Беляев, ИБ Ермолович, СМ Комиренко, РВ Конакова, ...
Журнал технической физики 68 (12), 49-53, 1998
151998
Peculiarities of the PbTe nano-islet formation on BaF₂ substrate at" hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy
TI Sheremeta, IV Prokopenko, PM Lytvyn, OS Lytvyn, VM Vodopyanov, ...
Functional materials, 2007
142007
Влияние перегрева pn-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
АЕ Беляев, ВВ Басанец, НС Болтовец, АВ Зоренко, ЛМ Капитанчук, ...
Физика и техника полупроводников 45 (2), 256-262, 2011
132011
The structure, composition, and chemical state of the surface of wire-like silicon nanocrystal grown by self-organization technology
AI Klimovskaya, IV Prokopenko, SV Svechnikov, TG Cherneta, ...
Journal of Physics: Condensed Matter 14 (8), 1735, 2002
122002
Релаксационные спектры фотолюминесценции пористого кремния, полученного химическим травлением лазерно-модифицированного кремния
ЛЛ Федоренко, АД Сардарлы, ЭБ Каганович, СВ Свечников, СП Дикий, ...
Физика и техника полупроводников 31 (1), 6-10, 1997
121997
Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n− n+-GaAs (M= Pt, Cr, W)
ИБ Ермолович, ВВ Миленин, РВ Конакова, ЛН Применко, ...
Физика и техника полупроводников 31 (4), 503-508, 1997
121997
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20