Shui-Qing (Fisher) Yu

Процитировано

	Все	Начиная с 2016 г.
Статистика цитирования	3294	2402
h-индекс	31	27
i10-индекс	77	58

560

280

140

420

2002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202111 23 10 25 26 31 26 21 44 53 71 124 147 253 343 384 515 521 544 94

Соавторы

Wei DuAssistant Professor, Department of Electrical Engineering and Physics, Wilkes UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене wilkes.edu
Hameed NaseemProfessor of Electrical Engineering, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Richard A. SorefResearch Professor of Engineering, The University of Massachusetts at BostonПодтвержден адрес электронной почты в домене rcn.com
Aboozar MoslehAssistant Professor of Nanoscience, University of Arkansas at Pine BluffПодтвержден адрес электронной почты в домене uapb.edu
Greg SunProfessor and Founding Chair of Engineering Department, UMass BostonПодтвержден адрес электронной почты в домене umb.edu
Shane R JohnsonArizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Wei DouUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене email.uark.edu
Yong-Hang ZhangProf., School of Electrical, Computer and Energy EngineeringПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Sattar Al-KabiWasit UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене uowasit.edu.iq
Gregory SalamoProfessor of Physics, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Benjamin ConleyEngineer, US NavyПодтвержден адрес электронной почты в домене navy.mil
Huong TranUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Jifeng LiuAssociate Professor of Engineering, Dartmouth CollegeПодтвержден адрес электронной почты в домене dartmouth.edu
Ding DingPrincipal Test EngineerПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Perry GrantAir Force Research LabПодтвержден адрес электронной почты в домене us.af.mil
Thach PhamPh.D. candidate, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене email.uark.edu
Mourad BenamaraInstitute for Nanoscience & Engineering, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Dongsheng FanUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене email.uark.edu
Vitaliy DoroganAdjunct Assistant Professor, New York City College of Technology (City Tech), CUNYПодтвержден адрес электронной почты в домене citytech.cuny.edu
Bader AlharthiUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене email.uark.edu

Shui-Qing (Fisher) Yu

University of Arkansas

Подтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu - Главная страница

Semiconductor Optoelectronics SiGeSn(Pb) Material and Devices Dissimilar Material Integration Low Dimensional Quantum Materia


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Extended performance GeSn/Si(100) photodetectors for full spectral range telecommunication applications J Mathews, R Roucka, J Xie, SQ Yu, J Menéndez, J Kouvetakis Applied physics letters 95 (13), 133506, 2009	186	2009
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K S Al-Kabi, SA Ghetmiri, J Margetis, T Pham, Y Zhou, W Dou, B Collier, ... Applied Physics Letters 109 (17), 171105, 2016	168	2016
Direct-bandgap GeSn grown on silicon with 2230 nm photoluminescence SA Ghetmiri, W Du, J Margetis, A Mosleh, L Cousar, BR Conley, ... Applied Physics Letters 105 (15), 151109, 2014	156	2014
Room temperature continuous-wave operation of 1.3 μm GaAsP/GaAs/GaAsSb VCSELs grown on GaAs S Johnson, S Chaparro, N Samal, P Dowd, SQ Yu, JB Wang, K Shiralagi, ... 2002 28TH European Conference on Optical Communication 1, 1-2, 2002	156	2002
Si-based GeSn lasers with wavelength coverage of 2–3 μm and operating temperatures up to 180 K J Margetis, S Al-Kabi, W Du, W Dou, Y Zhou, T Pham, P Grant, S Ghetmiri, ... ACs Photonics 5 (3), 827-833, 2017	105	2017
Systematic study of Si-based GeSn photodiodes with 2.6 µm detector cutoff for short-wave infrared detection T Pham, W Du, H Tran, J Margetis, J Tolle, G Sun, RA Soref, HA Naseem, ... Optics express 24 (5), 4519-4531, 2016	83	2016
Room-temperature electroluminescence from Ge/Ge_1-xSn_x/Ge diodes on Si substrates W Du, Y Zhou, SA Ghetmiri, A Mosleh, BR Conley, A Nazzal, RA Soref, ... Applied Physics Letters 104 (24), 241110, 2014	83	2014
Temperature dependent spectral response and detectivity of GeSn photoconductors on silicon for short wave infrared detection BR Conley, A Mosleh, SA Ghetmiri, W Du, RA Soref, G Sun, J Margetis, ... Optics express 22 (13), 15639-15652, 2014	80	2014
Group IV photonics: driving integrated optoelectronics R Soref, D Buca, SQ Yu optics and photonics news 27 (1), 32-39, 2016	73	2016
Competition of optical transitions between direct and indirect bandgaps in Ge_1−xSn_x W Du, SA Ghetmiri, BR Conley, A Mosleh, A Nazzal, RA Soref, G Sun, ... Applied Physics Letters 105 (5), 051104, 2014	71	2014
Growth and characterization of epitaxial Ge1-XSnx alloys and heterostructures using a commercial CVD system J Margetis, SA Ghetmiri, W Du, BR Conley, A Mosleh, R Soref, G Sun, ... ECS Transactions 64 (6), 711, 2014	69	2014
Material characterization of Ge 1− x Sn x alloys grown by a commercial CVD system for optoelectronic device applications A Mosleh, SA Ghetmiri, BR Conley, M Hawkridge, M Benamara, A Nazzal, ... Journal of electronic materials 43 (4), 938-946, 2014	66	2014
Molecular beam epitaxial growth of Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ topological insulators on GaAs (111) substrates: a potential route to fabricate topological insulator p-n … Z Zeng, TA Morgan, D Fan, C Li, Y Hirono, X Hu, Y Zhao, JS Lee, J Wang, ... AIP Advances 3 (7), 072112, 2013	63	2013
Systematic study of Ge_1−xSn_x absorption coefficient and refractive index for the device applications of Si-based optoelectronics H Tran, W Du, SA Ghetmiri, A Mosleh, G Sun, RA Soref, J Margetis, J Tolle, ... Journal of Applied Physics 119 (10), 103106, 2016	62	2016
Si based GeSn photoconductors with a 1.63 A/W peak responsivity and a 2.4 μm long-wavelength cutoff BR Conley, J Margetis, W Du, H Tran, A Mosleh, SA Ghetmiri, J Tolle, ... Applied Physics Letters 105 (22), 221117, 2014	62	2014
GaAsSb/GaAs band alignment evaluation for long-wave photonic applications SR Johnson, CZ Guo, S Chaparro, YG Sadofyev, J Wang, Y Cao, ... Journal of crystal growth 251 (1-4), 521-525, 2003	58	2003
Systematic study of GeSn heterostructure-based light-emitting diodes towards mid-infrared applications Y Zhou, W Dou, W Du, T Pham, SA Ghetmiri, S Al-Kabi, A Mosleh, M Alher, ... Journal of Applied Physics 120 (2), 023102, 2016	57	2016
Investigation of GeSn strain relaxation and spontaneous composition gradient for low-defect and high-Sn alloy growth W Dou, M Benamara, A Mosleh, J Margetis, P Grant, Y Zhou, S Al-Kabi, ... Scientific reports 8 (1), 1-11, 2018	55	2018
A semi-analytical model for semiconductor solar cells D Ding, SR Johnson, SQ Yu, SN Wu, YH Zhang Journal of Applied Physics 110 (12), 123104, 2011	54	2011
photoconductor structures at : From advanced materials to prototype devices R Roucka, J Xie, J Kouvetakis, J Mathews, V D’Costa, J Menendez, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2008	47	2008

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Загрузка файла PDF

Подписка на новые статьи этого автора

Процитировано

Соавторы