| Determination of structure parameters of porous silicon by the photoelectric method TFP Timokhov D.F. Journal of Physical Studies 4, 173-177, 2003 | 29 | 2003 |
| Influence of injection level of charge carriers in nanostructured porous silicon on electroluminescence quantum efficiency TFP Timokhov D.F. Microelectronics Engineering 81, 288-292, 2005 | 15 | 2005 |
| Influence of injection level of charge carriers in nanostmctured porous silicon on electroluminescence quantum efficiency TFP Timokhov D.F. The second Forum Nano and Giga Challenges in Microelectronics, 2004 | 15 | 2004 |
| Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодизации ТФП Тимохов Д.Ф. Физика и техника полупроводников 43 (1), 95-99, 2009 | 6 | 2009 |
| Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon TFP Timokhov D.F. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 6 (3), 307-310, 2003 | 6 | 2003 |
| Avalanche multiplication of charge carriers in nanostmctured porous silicon TFP Timokhov D.F. Problems of Optics and High Technology Material Science: III International …, 2002 | 6* | 2002 |
| Anomalous Long-Term Degradation of Photoluminescence in Porous Silicon Layer DFTFP Timokhov Semiconductors 45 (6), 788-791, 2011 | 3 | 2011 |
| Структурные и фотолюминесцентные свойства пористого кремния при длительном хранении на воздухе ДФ Тимохов Науковий вісник Ужгородського університету. Серия физика., 185-190, 2009 | 2 | 2009 |
| The Effect of Silicon Crystallographic Orientation on the Formation of Silicon Nanoclusters During Anodic Electrochemical Etching FPT D.F. Timokhov Semiconductors 34 (1), 88-91, 2009 | 2 | 2009 |
| Cтабілізіюче покриття люминесцируючих шарів пористого кремнію ДФ Тимохов Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика 30, 87-90, 2011 | | 2011 |
| Стабилизирующие покрытия люминесцирующих слоев пористого кремния ДФ Тимохов Науковий вісник Ужгородського університету. Сер.: Фізика, 87-90, 2011 | | 2011 |
| Стабилизирующие покрытия люминесцирующих слоев пористого кремния ТД Ф. Науковий вісник Ужгородського університету. Фізика., 87-90, 2011 | | 2011 |
| Аномальная долговременная деградация фотолюминесценции слоев пористого кремния ФПТ Д.Ф. Тимохов Физика и техника полупроводников 45 (6), 806-809, 2011 | | 2011 |
| Методы получения люминесцирующих слоев пористого кремния ФПТ Д.Ф. Тимохов Международная молодежная научно-техническая конференция "Люминесцентные …, 2009 | | 2009 |
| Structural and photoluminescent properties of porous silicon at long storage in air DF Timokhov International conference of joung scientist and post-graduates, 104, 2009 | | 2009 |
| Electroluminescence temperature stability of low-dimensional porous silicon TDF Timokhov F.P. 6th International Conference. Porous semiconductors - science and technology …, 2008 | | 2008 |
| Structural and photoluminescent properties of porous silicon at long storage in air TFP Timokhov D.F. 2nd International Meeting on Developments in Materials Processes …, 2008 | | 2008 |
| Emission recombination at double injection of charge carriers in nanostructured porous silicon DFT F.P. Timokhov Materials today ASIA 2 (77), 2007 | | 2007 |
| Influence of silicon crystallographic orientation on formation silicon nanoclusters during anodization process FPT D.F. Timokhov 2nd International conference on Surfaces, coatings and nanostructured …, 2007 | | 2007 |
| Определение параметров центров захвата носителей заряда в низкоразмерном пористом кремнии емкосным методом ЖЕМ Тимохов Ф.П., Тимохов Д.Ф. III Українська наукова конференція з фізики напівпровідників: Тези доповідей …, 2007 | | 2007 |
