Analysis of EMI and Efficiency of the GaN and Si MOSFET converters Y Onykiienko, V Pilinsky, O Smolenska, V Baran, V Lazebnyi, N Iakunina 2020 IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology …, 2020 | 6 | 2020 |
Modelling of operation modes and electromagnetic interferences of GaN-transistor converters YO Onikienko, VV Pilinsky, PV Popovych, VS Lazebnyi, OI Smolenska, ... Электротехника и электромеханика, 37-42, 2020 | 5 | 2020 |
Основи мікропроцесорної техніки. Лабораторний практикум ВС Баран, ГГ Власюк, ЮО Оникієнко, ОІ Смоленська КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019 | 2 | 2019 |
Аналіз програмного забезпечення для створення 360–градусного відео ВС Баран КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019 | 1 | 2019 |
Аналіз впливу індуктивності навантаження на спричинені «мертвим часом» нелінійні спотворення підсилювача класу D СА Найда, ЮО Оникієнко, ОІ Дрозденко, ОІ Смоленська, ВС Баран, ... Національний технічний університет" Харківський політехнічний інститут", 2021 | | 2021 |
МОДЕЛЮВАННЯ РЕЖИМІВ РОБОТИ ТА ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ЗАВАД ПЕРЕТВОРЮВАЧА НА GaN ТРАНЗИСТОРАХ YO Onikienko, VV Pilinsky, PV Popovych, VS Lazebnyi, OI Smolenska, ... Electrical Engineering & Electromechanics, 37-42, 2020 | | 2020 |
Порівняльний аналіз ефективності вихідних каскадів підсилювачів звуку класу D на GaN та Si транзисторах ВС Баран КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020 | | 2020 |
Комп’ютерне моделювання нелінійних спотворень звукового підсилювача класу D на GaN-транзисторах ОІ Смоленська, ВС Баран, ЮО Оникієнко КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020 | | 2020 |
Моделирования режимов работы и электромагнитных помех преобразователя на GaN транзисторах ЮА Оникиенко, ВВ Пилинский, ПВ Попович, ВС Лазебный, ... Электротехника и электромеханика, 37-42, 2020 | | 2020 |
Моделювання режимів роботи та електромагнітних завад перетворювача на GaN транзисторах ЮО Оникієнко, ВВ Пілінський, ПВ Попович, ВС Лазебний, ... Національний технічний університет" Харківський політехнічний інститут", 2020 | | 2020 |