| Polarization of the spontaneous radiation of stressed laser heterostructures AA Ptashchenko, MV Deych, NB Mironchenko, FA Ptashchenko Solid-state electronics 37 (4-6), 1255-1258, 1994 | 16 | 1994 |
| Effect of Ammonia Vapors on The Surface Morphology and Surface Current in p-n-Junctions ON GaP OO Ptashchenko, OS Artemenko, ML Dmytruk, NV Masleyeva, ... Одеський національний університет імені ІІ Мечникова, 2005 | 15 | 2005 |
| Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon pn junctions OO Ptashchenko, FO Ptashchenko, OV Yemets Photoelectronics, 89-93, 2007 | 13 | 2007 |
| Characteristics of silicon transistors as gas sensors FO Ptashchenko INTER-UNIVERSITIES SCIENTIFIC ARTICLES, 18, 2010 | 12 | 2010 |
| Вплив парів аміаку на поверхневий струм в pn переходах на основі напівпровідників А3В5 ОО Птащенко, ОС Артеменко, ФО Птащенко Журнал фізичних досліджень 7 (4), 419-425, 2003 | 9 | 2003 |
| “Excess” polarization of the spontaneous emission in laser heterostructures AA Ptashchenko, FA Ptashchenko Solid-State Electronics 39 (10), 1495-1500, 1996 | 9 | 1996 |
| Effect of ammonia vapors on surface currents in InGaN pn junctions FO Ptashchenko У збірнику наведені результати теоретичних і експериментальних досліджень з …, 2007 | 8 | 2007 |
| Vplyv pariv amiaku na poverkhnevyi strum v pn perekhodakh na osnovi napivprovidnykiv А3В5 OO Ptashchenko, OS Artemenko, FO Ptashchenko Journal of physical studies 7 (4), 419-425, 2003 | 8 | 2003 |
| Вплив газового середовища на поверхневий струм в pn гетероструктурах на основі GaAs–AlGaAs ОО Птащенко, ОС Артеменко, ФО Птащенко Фізика і хімія твердого тіла 2 (3), 481-485, 2001 | 8 | 2001 |
| Vliyanie gazovoi sredy na poverhnostnyi tok v pn geterostrukturakh na osnove GaAs-AlGaAs OO Ptashchenko, OS Artemenko, FO Ptashchenko Fisika i khimiya tverdogo tila 2 (3), 481-485, 2001 | 8 | 2001 |
| Electrochemical etching of porous silicon–DFT modeling F Ptashchenko Computational Materials Science 198, 110695, 2021 | 7 | 2021 |
| Formation of Acceptor States on the Silicon Hydroxylated Surface Upon NO2 Molecules Adsorption F Ptashchenko physica status solidi (b) 255 (3), 1700499, 2018 | 7 | 2018 |
| EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENTIN SILICON PN JUNCTIONS OO Ptashchenko, FO Ptashchenko, OV Yemets Photoelectronics, 28-32, 2009 | 7 | 2009 |
| Вплив парів аміаку на поверхневий струм у кремнієвих pn переходах ФО Птащенко Вісник ОНУ, сер. Фізика 11 (7), 116-119, 2006 | 7 | 2006 |
| Tunnel surface recombination in optoelectronic device modeling AA Ptashchenko, FA Ptashchenko Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics 3182 …, 1997 | 7 | 1997 |
| Влияние газовой среды на поверхностный ток в pn гетероструктурах на основе GaAs–AlGaAs АА Птащенко, ЕС Артеменко, ФА Птащенко Физика и химия твердого тела 2 (3), 481-485, 2001 | 6 | 2001 |
| Long‐Range Interaction Between NO2 Molecules, Impurity Boron Atoms and Si Atoms with Dangling Bonds in Porous Silicon F Ptashchenko physica status solidi (b) 255 (6), 1700654, 2018 | 5 | 2018 |
| NEGATIVE sensitivity of siLICoN pn junctionsas gas sensors FO Ptashchenko, OO Ptashchenko, GV Dovganyuk Photoelectronics, 44-48, 2011 | 5 | 2011 |
| Effect of Local Nonradiative Recombination on Time‐Resolved Electroluminescence of p–n Junctions AA Ptashchenko, DV Melkonyan, NV Moroz, FA Ptashchenko physica status solidi (a) 159 (2), 523-534, 1997 | 5 | 1997 |
| Vplyv poverkhnevogo leguvannya na charakterystyky pn perekhodiv na osnovi GaAs yak gazovykh sensoriv OO Ptashchenko, FO Ptashchenko, VR Gilmutdinova Sensorna elektronika i mikrosystemni tekhnologiyi 10 (1), 114-123, 2013 | 4 | 2013 |
