Богдан  Соколовський,  B. S. Sokolovskii, B. S. Sokolovsky
Богдан Соколовський, B. S. Sokolovskii, B. S. Sokolovsky
Львівський національний університет ім. І.Франка, Ivan Franko National University of Lviv
Підтверджена електронна адреса в lnu.edu.ua - Домашня сторінка
Назва
Посилання
Посилання
Рік
Effect of bromine adsorption on the charge transport in porous silicon-silicon structures
IB Olenych, LS Monastyrskii, OI Aksimentyeva, BS Sokolovskii
Electronic Materials Letters 9 (3), 257-260, 2013
192013
The effect of built-in electric field on As diffusion in HgCdTe graded-band-gap epitaxial layers
AP Vlasov, BS Sokolovskii, LS Monastyrskii, OY Bonchyk, A Barcz
Thin Solid Films 459 (1-2), 28-31, 2004
152004
Photosensitive structures of conjugated polymer-porous silicon
LS Monastyrskii, OI Aksimentyeva, IB Olenych, BS Sokolovskii
Molecular Crystals and Liquid Crystals 589 (1), 124-131, 2014
142014
THE CALCULATION OF ENERGY DIAGRAM OF GRADED BAND-GAP SEMICONDUCTORS BY AN ASYMPTOTIC METHOD
BS Sokolovsky
UKRAINSKII FIZICHESKII ZHURNAL 39 (3-4), 327-330, 1994
131994
Multilayer Structures Based on Doped Graded‐Band‐Gap Semiconductors: Features of Energy Band Diagram
BS Sokolovskii
physica status solidi (a) 163 (2), 425-432, 1997
121997
CARRIER REDISTRIBUTION UNDER ELECTRIC-CURRENT PASSING THROUGH A VARIBAND STRUCTURE
VG Savitsky, BS Sokolovsky
UKRAINSKII FIZICHESKII ZHURNAL 25 (11), 1919-1921, 1980
101980
Preparation and properties of nanocomposites of silicon oxide in porous silicon
I Olenych, B Tsizh, L Monastyrskii, O Aksimentyeva, B Sokolovskii
Solid State Phenomena 230, 127-132, 2015
92015
Photoelectric amplification of variband photoresistors
VG Savitskii, BS Sokolovskii
Semiconductors 31 (1), 1-3, 1997
91997
Diffusion of the charged impurities in graded-gap semiconductors
LS Monastyrskii, BS Sokolovskii
Fiz. Tekh. Polupr 26 (12), 2143, 1992
91992
Газоадсорбційні сенсорні структури на основі поруватого кремнію
ЛС Монастирський, ІБ Оленич, ОІ Аксіментьєва, БС Соколовський, ...
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології 8 (3), 38-43, 2011
52011
О фотоэлектрическом усилении варизонными фоторезисторами
ВГ Савицкий, БС Соколовский
Физика и техника полупроводников 31 (1), 3-5, 1997
51997
Electronic structure of silicon nanowires matrix from ab initio calculations
LS Monastyrskii, YV Boyko, BS Sokolovskii, VY Potashnyk
Nanoscale research letters 11 (1), 1-4, 2016
42016
Calculation of photosensitivity of porous silicon with the cylindrical geometry of pores
LS Monastyrskii, BS Sokolovskii, VS Vasylyshyn
Optical Memory and Neural Networks 18 (1), 55-59, 2009
42009
Calculation of photosensitivity of porous silicon for optoelectronic devices
LS Monastyrskii, BS Sokolovskii
19th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices …, 2007
32007
Расчет фоточувствительности пористого кремния для оптоэлектронных устройств
ЛС Монастырский, БС Соколовский
Прикладная физика, 127-130, 2007
32007
Charging capacity of a sharp p-n junction in a variband semiconductor
BS Sokolovskii
Technical Physics Letters 27 (3), 204-206, 2001
32001
Reverse current in semiconductor diodes with inhomogeneous base
BS Sokolovskii
Technical Physics Letters 26 (4), 292-294, 2000
32000
ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ПРИ ПРОХОЖДЕНИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА ЧЕРЕЗ ВАРИЗОННУЮ СТРУКТУРУ
ВГ Савицкий, БС Соколовский
Украинский физический журнал 25 (11), 1919, 1980
31980
Modelling of the field effect in porous silicon
LS Monastyrskii, BS Sokolovskii, YV Boyko, MP Alekseichyk
Applied Nanoscience 10 (8), 2639-2643, 2020
22020
Electroluminescence of graded-gap structures with blocking and ohmic contacts
BS Sokolovskii, VI Ivanov-Omskii, GA Il’chuk
Semiconductors 39 (12), 1361-1368, 2005
22005
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20