Підписатись
Serhiy Fedosov / Сергій Федосов
Serhiy Fedosov / Сергій Федосов
Lutsk National Technical University
Підтверджена електронна адреса в lntu.edu.ua - Домашня сторінка
Назва
Посилання
Посилання
Рік
Influence of uniaxial deformation on the filling of the level associated with A-center in n-Si crystals
AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov
Ukr J Phys 56 (1), 69-73, 2011
142011
Specific features of intervalley scattering of charge carriers in n-Si at high temperatures
AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov
Semiconductors 44 (10), 1263-1265, 2010
132010
Application of High Uniaxial Strain Methods for Semiconductor Parameter Determination
V Kolomoets, V Ermakov, L Panasyuk, S Fedosov, B Orasgulyev, ...
Physica B: Condensed Matter 417, 46–48, 2013
122013
Вплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня Ec-0,2 еВ у монокристалах n-Ge<Au>
СА Федосов, СВ Луньов, ДА Захарчук, ЛІ Панасюк, ЮВ Коваль
Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки : Фіз. науки, 39–45, 2011
11*2011
Silicon p-MOS and n-MOS transistors with uniaxially strained channels in electronic device nanotechnology
AE Gorin, GV Gromova, VM Ermakov, PP Kogoutyuk, VV Kolomoets, ...
Ukr. J. Phys 56 (9), 917-921, 2011
112011
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
SV Luniov, LI Panasiuk, SA Fedosov
Ukrainian journal of physics 57 (6), 636–641, 2012
92012
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів
АЄ Горін, ГВ Громова, ВМ Єрмаков, ПП Когутюк, ВВ Коломоєць, ...
Український фізичний журнал 56 (9), 920-925, 2011
72011
Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов
Укр. фiз. журн. 55 (3), 323-326, 2010
72010
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту
СВ Луньов, ЛІ Панасюк, СА Федосов
Український фізичний журнал 57 (6), 637–642, 2012
62012
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А–центром, у кристалах n-Si
АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов
Український фізичний журнал 56 (1), 70-74, 2011
62011
Peculiarities of piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals in the case of symmetric position of the deformation axis relative to all isoenergetic ellipsoids
AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov
Ukrayins' kij Fyizichnij Zhurnal (Kyiv) 55 (3), 323-326, 2010
62010
The influence of uniaxial elastic deformation on the position and the degree of filling of the deep level EC–0.2 eV in n-Ge〈 Au〉 single crystals
SA Fedosov, SV Lunev, DA Zakharchuk, LI Panasyuk, YV Koval
Naukovyi Visnyk Volyns’ koho Universytetu im. Lesi Ukrainki. Fizuchni Nauki …, 2011
5*2011
Особенности междолинного рассеяния носителей тока в n-Si при высоких температурах
АВ Федосов, СВ Лунёв, СА Федосов
Физика и техника полупроводников 44 (10), 1307-1309, 2010
52010
Визначення швидкості зміщення глибоких енергетичних рівнів в монокристалах кремнію при одновісній пружній деформації
АВ Федосов, СВ Луньов, ДА Захарчук, СА Федосов, ВС Тимощук
Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки : Фіз. науки, 54, 2008
5*2008
Determination of the velocity of shift of deep energy levels in silicon single crystals under the uniaxial deformation
AV Fedosov, SV Luniov, DA Zaharchuk, SA Fedosov, V Timoschuk
Sci. Bull. Lesya Ukr. Volyn Natl. Univ. Phys. Sci., 54-58, 2008
52008
Features of Structural Inhomogeneities in Doped Cadmium Antimonide Crystals
YV Koval, DA Zakharchuk, LV Yashchinskiy, LI Panasjuk, SА Fedosov
Phys. Chem. Solid State 18 (3), 321–323, 2017
42017
Determination of the constant of the deformation potential Ξd in n-Ge by the piezoresistance method
AV Fedosov, SV Lunov, SA Fedosov
Nauk. visnyk Volynskoho nats. un-tu im. Lesi Ukrainky. Fiz. nauky, 38-44, 2010
42010
Інформаційний пошук і робота з бібліотечними ресурсами : навчальний посібник
ЖО Кормош, СВ Супрунович, СА Федосов, ОВ Замуруєва
Луцьк : Вежа-Друк, 2020
32020
Vplyv odnovisnoi deformatsiyi na zapovnennia rivnia, poviazanoho z A-tsentrom, u krystalakh n-Si
AV Fedosov, SV Lunov, SA Fedosov
Ukrainskyi fizychnyi zhurnal 56 (1), 70-74, 2011
32011
Влияние одноосной упругой деформации на подвижность носителей тока в монокристаллах n Si при наличии глубоких энергетических уровней
АВ Федосов, СВ Лунёв, СА Федосов
Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2009) : 8-й Междунар. конф …, 2009
32009
У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.
Статті 1–20