| Structure changes caused by the stress gradient in subsurface layers of germanium single crystals V Nadtochy, I Zhikharev, M Golodenko, M Nechvolod Solid State Phenomena 94, 253-256, 2003 | 14 | 2003 |
| Microplasticity and electrical properties of subsurface layers of diamond-like semiconductors strained at low temperatures V Nadtochiy, N Nechvolod, N Golodenko Functional materials 10 (4), 702-706, 2003 | 13 | 2003 |
| Микропластичность алмазоподобных кристаллов (Si, Ge, GaAs, InAs): дис.... доктора физ.-мат. наук: 01.04. 07/Харьковский национальный университет ВА Надточий Харьков,—2006.—467 с, 2006 | 10 | 2006 |
| Исследование поверхности деформированного монокристалла германия методом атомно-силовой микроскопии ВА Надточий, АИ Уколов, ВП Алехин Деформация и разрушение материалов, 26-32, 2012 | 9 | 2012 |
| ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ Gе и Si ВА Надточий, НК Нечволод, ДГ Сущенко Физика и техника высоких давлений 11 (1), 2001 | 9 | 2001 |
| Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge ОІ Уколов, ВО Надточій, МК Нечволод Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2010 | 6 | 2010 |
| Микропластичность монокристаллов Ge при воздействии лазерного облучения и деформации сжатия ВА Надточий, ВП Алехин Физика и химия обработки материалов, 27-32, 2004 | 6 | 2004 |
| О закономерностях пластической деформации кремния при комнатной температуре ВА Надточий, ВП Алехин, НК Нечволод, МХ Шоршоров Физика и химия обраб. материалов, 103-107, 1974 | 6 | 1974 |
| Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam V Nadtochy, M Golodenko, D Moskal Functional materials, 2004 | 5 | 2004 |
| Некоторые закономерности ступенчатой ползучести монокристаллического германия при 300 К ВП Алехин, ВА Надточий, НК Нечволод, МХ Шоршоров Физика и химия обраб. материалов, 112, 1974 | 5 | 1974 |
| Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity D Moskal, V Nadtochiy, N Golodenko Functional Materials, 2006 | 4 | 2006 |
| Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках ВА Надточий, НК Нечволод, НН Голоденко Физика и техника высоких давлений 14 (3), 42-48, 2004 | 4 | 2004 |
| Рух дислокацій у напівпровідниках, спричинений градієнтом на-пружень ВО Надточій, ММ Голоденко, МК Нечволод, ІВ Жихарєв, ОВ Періг PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE 4 (1), 76-79, 2003 | 4 | 2003 |
| Установка для исследования ползучести алмазоподобных полупроводников при комнатной температуре ВА Надточий, НК Нечволод, АП Тихонов Заводская лаборатория 40 (I), 112, 1974 | 4 | 1974 |
| Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer V Nadtochiy, N Golodenko, N Nechvolod Functional Materials, 2005 | 3 | 2005 |
| Структурні зміни у приповерхневому шарі Ge під дією лазерного імпульсу ВО Надточій, ММ Голоденко, АЗ Калімбет, ДС Москаль PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE 4 (3), 556-559, 2003 | 3 | 2003 |
| Влияние низкотемпературной микропластической деформации на электрические свойства кремниевых pn-переходов ВА Надточий, ДС Хаперец, РА Шарап Донбаський державний педагогічний університет, 2016 | 2 | 2016 |
| Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации АИ Уколов, ВА Надточий, НК Нечволод Физика и техника высоких давлений, 2013 | 2 | 2013 |
| Устройство для измерения параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностных слоях монокристаллов Ge ВА Надточий, АИ Уколов Вiсник Харкiвського нацiонального ун-ту, серiя «Фiзика, 87-90, 2012 | 2 | 2012 |
| Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии ВА Надточий Физика и техника высоких давлений, 54-62, 2012 | 2 | 2012 |
