Martin S. Brandt

Процитировано

	Все	Начиная с 2016 г.
Статистика цитирования	11243	2904
h-индекс	54	27
i10-индекс	170	80

720

360

180

540

19921993199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202194 272 251 266 251 243 168 158 180 172 120 193 259 247 257 330 373 455 539 649 701 700 682 696 639 640 594 495 529 7

Соавторы

Martin StutzmannProfessor für Physik, Walter Schottky Institut, Technische Universität MünchenПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der WissenschaftenПодтвержден адрес электронной почты в домене wmi.badw.de
Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität FreiburgПодтвержден адрес электронной почты в домене inatech.uni-freiburg.de
Rudolf GrossTechnische Universität MünchenПодтвержден адрес электронной почты в домене wmi.badw.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU MünchenПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Mathias WeilerTechnische Universität KaiserslauternПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-kl.de
Manuel CardonaMax Planck InstitutПодтвержден адрес электронной почты в домене fkf.mpg.de
Carlos F. O. Graeff (ORCID:0000-0003...Professor Titular do DF-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPПодтвержден адрес электронной почты в домене unesp.br
Gerhard AbstreiterTU München, Walter Schottky Institut, Institute for Advanced StudyПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Peter DeakProfessor of Physics, University of BremenПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-bremen.de
David P. FrankeQuTech, TU DelftПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Stephan GeprägsPostdoctoral research assistant at Walther-Meissner-Institute, Bavarian Academy of Sciences and HumanitiesПодтвержден адрес электронной почты в домене wmi.badw.de
Andreas WaagTechnische Universität BraunschweigПодтвержден адрес электронной почты в домене tu-braunschweig.de
Jonathan J. FinleyProfessor of Semiconductor Quantum NanoscienceПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität BremenПодтвержден адрес электронной почты в домене ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAПодтвержден адрес электронной почты в домене icn2.cat
Ian D. SharpWalter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universität MünchenПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Theodore D MoustakasBoston UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu
Gabi SchierningBielefeld UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-bielefeld.de
Dominik HeissInfineon AGПодтвержден адрес электронной почты в домене infineon.com

Martin S. Brandt

apl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität München

Подтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de - Главная страница

Halbleiterphysik Spintronik magnetische Resonanz Punktdefekte


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992	1032	1992
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann Applied Physics Letters 88 (20), 203107, 2006	522	2006
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996	349	1996
Structural and doping effects in the half-metallic double perovskite A 2 CrWO 6 (A= Sr, Ba, and Ca) JB Philipp, P Majewski, L Alff, A Erb, R Gross, T Graf, MS Brandt, J Simon, ... Physical Review B 68 (14), 144431, 2003	318	2003
The Mn 3+/2+ acceptor level in group III nitrides T Graf, M Gjukic, MS Brandt, M Stutzmann, O Ambacher Applied Physics Letters 81 (27), 5159-5161, 2002	254	2002
Scaling behavior of the spin pumping effect in ferromagnet-platinum bilayers FD Czeschka, L Dreher, MS Brandt, M Weiler, M Althammer, IM Imort, ... Physical review letters 107 (4), 046601, 2011	251	2011
Method of separating two layers of material from one another and electronic components produced using this process M Kelly, O Ambacher, M Stutzmann, M Brandt, R Dimitrov, R Handschuh US Patent 6,559,075, 2003	249	2003
Porous silicon and siloxene: Vibrational and structural properties HD Fuchs, M Stutzmann, MS Brandt, M Rosenbauer, J Weber, ... Physical Review B 48 (11), 8172, 1993	229	1993
Siloxene: Chemical quantum confinement due to oxygen in a silicon matrix P Deák, M Rosenbauer, M Stutzmann, J Weber, MS Brandt Physical review letters 69 (17), 2531, 1992	213	1992
Elastically driven ferromagnetic resonance in nickel thin films M Weiler, L Dreher, C Heeg, H Huebl, R Gross, MS Brandt, ... Physical review letters 106 (11), 117601, 2011	206	2011
Acoustically driven ferromagnetic resonance M Weiler, L Dreher, C Heeg, H Huebl, R Gross, MS Brandt, ... arXiv preprint arXiv:1009.5798, 2010	206*	2010
Surface acoustic wave driven ferromagnetic resonance in nickel thin films: Theory and experiment L Dreher, M Weiler, M Pernpeintner, H Huebl, R Gross, MS Brandt, ... Physical Review B 86 (13), 134415, 2012	181	2012
Voltage controlled inversion of magnetic anisotropy in a ferromagnetic thin film at room temperature M Weiler, A Brandlmaier, S Geprägs, M Althammer, M Opel, C Bihler, ... New Journal of Physics 11 (1), 013021, 2009	181	2009
Hydrogenation of p‐type gallium nitride MS Brandt, NM Johnson, RJ Molnar, R Singh, TD Moustakas Applied physics letters 64 (17), 2264-2266, 1994	181	1994
Electrical detection of coherent 31P spin quantum states AR Stegner, C Boehme, H Huebl, M Stutzmann, K Lips, MS Brandt Nature Physics 2 (12), 835-838, 2006	180	2006
Direct biofunctionalization of semiconductors: A survey M Stutzmann, JA Garrido, M Eickhoff, MS Brandt physica status solidi (a) 203 (14), 3424-3437, 2006	173	2006
Electronic transport in phosphorus-doped silicon nanocrystal networks AR Stegner, RN Pereira, K Klein, R Lechner, R Dietmueller, MS Brandt, ... Physical review letters 100 (2), 026803, 2008	150	2008
Structural and magnetic properties of Mn5Ge3 clusters in a dilute magnetic germanium matrix C Bihler, C Jaeger, T Vallaitis, M Gjukic, MS Brandt, E Pippel, ... Applied Physics Letters 88 (11), 112506-112506, 2006	143	2006
DX-behavior of Si in AlN R Zeisel, MW Bayerl, STB Goennenwein, R Dimitrov, O Ambacher, ... Physical Review B 61 (24), R16283, 2000	142	2000
Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation AR Stegner, RN Pereira, R Lechner, K Klein, H Wiggers, M Stutzmann, ... Physical Review B 80 (16), 165326, 2009	132	2009

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Загрузка файла PDF

Подписка на новые статьи этого автора

Процитировано

Соавторы