Подписаться
Ahmed Yusupov
Ahmed Yusupov
Профессор электроники Ташкентского университета информационных технологий им. Мухаммада ал-Хорезми
Подтвержден адрес электронной почты в домене tuit.uz
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Si-Ge solid solution single crystal growth by electron beam floating zone technique
MS Saidov, A Yusupov, RS Umerov
Journal of Crystal Growth 52, 514-518, 1981
281981
Formation of manganese silicide films on silicon
K Adambaev, A Yusupov, K Yakubov
Inorganic materials 39 (9), 942-946, 2003
19*2003
Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава SiGe в области составов со стороны кремния II.  Гальваномагнитные свойства и …
ИГА Андрей Георгиевич Забродский, Е С Юрова, В В Федоров, М С Саидов, А Юсупов
Физика и техника полупроводников 20 (11), 2052-2060, 1986
11*1986
Simulation of DIBL effect in 25 nm SOI-FinFET with the different body shapes
AEA ZA Atamuratova, A Yusupov, BO Khalikberdiev
Наносистемы: физика, химия, математика 8 (1), 71-74, 2017
102017
Some electrical and photoelectric characteristics that are promising for photoconverters p-Cu2ZnSnS4/n-Si heterostructures
ZZT A Yusupov, K Adambaev
Applied Solar Energy 51 (4), 311-313, 2015
9*2015
The Effect of the Fin Shape and Thickness of the Buried Oxide on the DIBL Effect in an SOI FinFET
AEAAYA Atamuratov
Technical Physics Letters 44 (11), 962-964, 2018
8*2018
Dependence of the divacancy concentration on the germanium content in Si1 − x Ge x alloys under irradiation by fast and slow neutrons
MS Saidov, SL Lutpullaev, A Yusupov, IG Atabaev, LI Khirunenko, ...
Physics of the Solid State 49, 1658-1660, 2007
8*2007
Mechanism of defect formation in Si1-xGex alloys irradiated with electrons
IG Atabaev, MS Saidov, LI Khirunenko, VI Shakhovtsov, VK Shinkarenko, ...
Soviet Physics-Semiconductors (English Translation) 21 (3), 350-351, 1987
8*1987
Characterising lateral capacitance of MNOSFET with localised trapped charge in nitride layer
AE Atamuratov, ZA Atamuratova, A Yusupov, A Ghani
Results in Physics 11, 656-658, 2018
72018
ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF NEUTRON-TRANSMUTATION-DOPED SILICON-RICH SI-GE ALLOYS. 1. ELECTROPHYSICAL PARAMETERS AND EPSILON-1 CONDUCTION
AG Zabrodskii, VA Evseev, RF Konopleva, VA CHEKANOV, ES YUROVA, ...
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 20 (11), 1278-1283, 1986
7*1986
Lateral Capacitance–Voltage Method of NanoMOSFET for Detecting the Hot Carrier Injection
AE Atamuratov, A Yusupov, ZA Atamuratova, JC Chedjou, K Kyamakya
Applied Sciences 10 (21), 7935, 2020
62020
Anomalous Behavior of Lateral C–V Characteristic of an MNOS Transistor with an Embedded Local Charge in the Nitride Layer
ZA Atamuratova, A Yusupov, BO Khalikberdiev, AE Atamuratov
Technical Physics 64, 1006-1009, 2019
6*2019
Experimental assessment of the nonuniform radiation-induced space-charge distribution in the surface region of silicon
AE Atamuratov, A Yusupov, K Adinaev
Inorganic materials 37 (8), 767-768, 2001
62001
Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции
АЮ Н. Т. Баграев, Р. М. Мирсаатов, И. С. Половцев
Физика и техника полупроводников 26 (3), 481–490, 1992
6*1992
Особенности фотоэлектрических свойств пленок силицида марганца
КЯ К Адамбаев, А Юсупов
Изв. РАН, Сер. Неорганические материалы 37 (1), 3, 2001
5*2001
Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si-Ge
AY ИГ Атабаев, НТ Баграев, ВА Машков
Физ. и техн. полупроводников 23 (2), 525, 1989
51989
Impact of the channel shape, back oxide and gate oxide layers on self-heating in nanoscale JL FINFET
AE Atamuratov, BO Jabbarova, MM Khalilloev, A Yusupov, ...
Наносистемы: физика, химия, математика 13 (2), 148-155, 2022
42022
Создание и электрические свойства гетеропереходов p-Cu2ZnSnS4/n-Si
АК А Юсупов, К Адамбаев, ЗЗ Тураев, СР Алиев
Письма в Журнал технической физики 43 (2), 98-103, 2017
4*2017
Оптические и электрические свойства пленок силицида марганца
КЯ К Адамбаев, А Юсупов
Узбекский Физический Журнал 2 (5-6), 463-465 2 (5-6), 463-465, 2000
42000
Electrophysical Properties of Neutron-Doped Si−Ge Alloy in the Composition Range from Silicon Side. I. Electrophysical Parameters and ε Conduction
IGA A. G. Zabrodskii, V. A. Evseev, R. F. Konopleva, V. A. Chekanov, E. S ...
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 20 (11), 2042–2051, 1986
4*1986
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20