Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2019 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 1814 | 885 |
h-индекс | 21 | 14 |
i10-индекс | 39 | 23 |
Общий доступ
Просмотреть все2 статьи
0 статей
доступно
недоступно
На основе финансирования
Соавторы
- Heonsu JeonSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
- Unjeong Kim삼성종합기술원 전문연구원Подтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com
- Jineun KimSamsung Advanced Institute of TechПодтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com
- Hyochul KimSamsung Advanced Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com
- Q-Han ParkProfessor of Physics, Korea UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене korea.ac.kr
- Christian SeassalCNRS, Institut des Nanotechnologies de LyonПодтвержден адрес электронной почты в домене ec-lyon.fr
- Anne kaminski-CachopoProfesor at Grenoble INPПодтвержден адрес электронной почты в домене grenoble-inp.fr
- Mustapha LemitiProfesseur INSA de LyonПодтвержден адрес электронной почты в домене insa-lyon.fr
- xavier letartreInstitut des nanotechnologies de lyonПодтвержден адрес электронной почты в домене ec-lyon.fr
- Kyungtaek MinAssistant Professor, Department of Nano & Semiconductor Engineering, Tech University of KoreaПодтвержден адрес электронной почты в домене tukorea.ac.kr
- Joonhee LeeAssistant Professor of Physics, Neuroscience, West Virginia UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.wvu.edu
- kyungwook hwangSamsung Electronics (SAIT)Подтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com
Подписаться
Yeonsang Park
Department of Physics, Chungnam National University
Подтвержден адрес электронной почты в домене cnu.ac.kr